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硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體2

2025-02-25

產(chǎn)      地:
暫無(wú)
所在地區(qū):
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長(zhǎng)度 Dia.30 x 65mm
消光比 >350:1
透過(guò)畸變 λ/6
整體透過(guò)率 >98%
1/4波電壓 3.2 kv
光潔度 20/10(膜后40/20)
鍍膜 AR/AR @ 1064nm (R<>
電容 9 pF
晶體尺寸 8 x 8 x 45 mm
抗光傷 600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm
外殼尺寸 Dia.30-65 mm
硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體

硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體

摻釹釔鋁石榴石晶體(Nd:YAG)

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摻釹釩酸釔晶體(Nd:YVO4)

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鍵合晶體

鍵合晶體

硅酸鎵鑭晶體(LGS晶體)是一種性能優(yōu)良的多功能晶體,具有很高損傷閾值的光學(xué)非線性材料。電光系數(shù)高,電光性能優(yōu)良,屬于三方晶系結(jié)構(gòu),熱膨脹系數(shù)較小,晶體的熱膨脹各向異性較弱,高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體),具有的兩個(gè)獨(dú)立電光系數(shù)與BBO晶體的系數(shù)相當(dāng),電光系數(shù)值在很大的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,該晶體機(jī)械性能好、無(wú)解離性、不潮解、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,具有非常好的綜合性能。
LGS晶體具有寬的透過(guò)波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過(guò)率。LGS 晶體采用提拉法生長(zhǎng),熔點(diǎn)是1470 ℃ ,在生長(zhǎng)溫度至室溫沒(méi)有相變點(diǎn),生長(zhǎng)周期短,可以生長(zhǎng)出較大尺寸晶體,有旋光性,但比石英小。
可應(yīng)用于電光調(diào)制、電光調(diào)Q。LGS電光開(kāi)關(guān)可用于高重復(fù)頻率,高輸出能量,應(yīng)用范圍廣。
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