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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>光學儀表>光學測量儀>PV-2TE-13 vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

PV-2TE-13 vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

參考價 ￥ 10000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 西安立鼎光電科技有限公司
  • 品牌 VIGO PHOTONICS
  • 型號 PV-2TE-13
  • 產(chǎn)地 波蘭
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2016/8/25 10:34:13
  • 訪問次數(shù) 1858

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聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!


       西安立鼎光電科技有限公司是一家專業(yè)從事短波紅外成像系統(tǒng)及光電測試裝備的研發(fā)生產(chǎn)、系統(tǒng)集成、銷售服務為一體的高新技術企業(yè)。公司專注于為客戶提供從元件、組件、部件到全套光電系統(tǒng)產(chǎn)品的完整解決方案。

       近年來，公司研制的短波紅外成像系統(tǒng)在激光光斑檢測、半導體檢測、激光通信、光譜成像、激光切割、生物醫(yī)療、天文觀測、安防、星敏感器、激光制導、反偵聽、激光測振等領域得到了廣泛的應用。

       多年來，根據(jù)用戶需求定制的多款光電測試裝備，為用戶產(chǎn)品的性能指標保證發(fā)揮了重要作用，得到了客戶的高度認可。




全波段光電探測器（0.2-26um），短波紅外相機(0.9-1.7um)，紅外 熱像儀，微光夜視儀，成像機芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um)，EMCCD/SCMOS相機， 光功率計/能量計，光譜分析儀，光纖滑環(huán)，激光器，激光測距機

vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

TE制冷光電探測器

1、PV-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷）

特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。

描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PV-2TE-3

PV-2TE-4

PV-2TE-5

PV-2TE-6

PV-2TE-8

PV-2TE-10.6

*特性波長λop

μm

3

4

5

6

8

10.6

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥8?1010 ≥5?1010

 

≥1.5?1010

≥1?1010

 

≥8?109

≥5?109

 

≥4?109  ≥2?109

 

≥8?108  ≥4?108

 

≥3?108

≥1?108

響應度

A/W

≥1.2

≥1.3

≥1.3

≥1.2

≥1

≥0.7

響應時間τ

ns

≤15**

≤20**

≤20**

≤10**

≤7**

≤3**

并聯(lián)電阻-光學面積

Ω·cm 2

≥0.3

≥0.10

≥0.02

≥0.006

≥0.001

≥0.0001

光學面積（長×寬）

或直徑  (圓形)

mm x mm

mm

0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

工作溫度

K

220-240

視場, F#

deg

60, 0.5

2、PVI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式）

特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。

描述：PVI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些器件在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PVI-2TE-3

PVI-2TE-4

PVI-2TE-5

PVI-2TE-6

PVI-2TE-8

PVI-2TE-10.6

*特性波長λop

μm

3

4

5

6

8

10.6

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥2?1011

≥1.5?1010

 

≥6?1010

≥4?1010

 

≥3?1010

≥2?1010

 

≥2?1010

≥1?1010

 

≥5?109

≥2?109

 

≥3?109

≥1?109

響應度

A/W

≥1.2

≥1.3

≥1.3

≥1.2

≥1

≥0.7

響應時間τ

ns

≤15**

≤20**

≤20**

≤10**

≤7**

≤3**

并聯(lián)電阻-光學面積

Ω·cm 2

≥30

≥10

≥2

≥0.6

≥0.1

≥0.01

光學面積（長×寬）

或直徑  (圓形)

mm x mm

mm

0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

工作溫度

K

220-240

視場, F#

deg

35,1.65

3、PVM-2TE（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、熱電制冷）

特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。

描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件可以優(yōu)化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PVM-2TE-8

PVM-2TE-10.6-2      

*特性波長λop

µm

8

10.6

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥6?108

≥3?108

≥2?108

≥1?108

響應度 – at λop*

V x mm /W

≥2

≥0.5

響應時間τ

ns

≤7

≤3

電阻

Ω

40－300

30－200

光學面積（長×寬）

mm x mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

工作溫度*

K

220-240

視場, F#*

deg

60, 0.5

4、PVMI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、熱電制冷、光侵入式）

特點：高性能的長波長范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。

描述：PVMI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些器件可以優(yōu)化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PVMI-2TE-10.6

*特性波長λop

µm

10.6

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥2?109

≥1?109

響應度 – at λop

V·mm /W

≥7

響應時間τ

ns

≤3

電阻*

Ω

30-200

光學面積 （長×寬 ）

mm x mm

0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2；

工作溫度*

K

220-240

視場, F#*

deg

35，1.65

5、PC-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷）

特點：高性能在2-14μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計

描述：PC-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些設備在2～14µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PC-2TE-4  

PC-2TE-5  

PC-2TE-6  

PC-2TE-9  

PC-2TE-10.6  

PC-2TE-12 

*特性波長λop

µm

4

5

6

9

10.6

12

探測率:

at ?λpeak, 20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

>4E10 >2E10

>2E10  >1E10

>6E9

>3E9

>2E9 >8E8**

>5E8

>2.5E8**

>4E8

>1.5E8**

響應度-atλop1x1 mm

V/W

>1000

>500

>70

>5

>3

>1

響應時間τ

ns

<4000

<2000

<1000

<20

<10

<2

1/f噪聲拐點頻率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

1-20

有效面積, (長 × 寬)

mm × mm

0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

偏置電流-寬度比*

mA/mm

1－2

2－4

4－8

4－10

5－15

5－15

薄層電阻系數(shù)

Ω/sqr

600-1500

300-500

200-400

80-200

50-150

50-150

視場, F#

deg

60, 0.5

6、PCI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式）

特點：高性能在2-14μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；使用方便；與快速元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計

描述：PCI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些設備在2～14µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PCI-2TE-4  

PCI-2TE-5  

PCI-2TE-6  

PCI-2TE-9  

PCI-2TE-10.6  

PCI-2TE-12 

*特性波長λop

µm

4

5

6

9

10.6

12

探測率:

at λ? peak, 20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

>1E11 >5E10

>6E10

>3E10

>2E10 >1E10

>9E9

>4E9

>5E9

>2.5E9

>4E9

>1.5E9

響應度- atλop1x1 mm

Vmm/W

>6000

>3000

>600

>40

>25

>15

響應時間τ

ns

<4000

<2000

<1000

<20

<10

<2

1/f噪聲拐點頻率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

1-20

有效面積, (長×寬)

mm×mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

偏置電流-寬度比*

mA/mm

0.05－0.3

0.1－0.5

0.3－0.8

2－5

5－20

5－20

薄層電阻系數(shù)

Ω/sqr

600-1500

300-500

200-400

50-200

50-150

50-150

視場, F#

deg

35, 1.65

         

 



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