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靜態(tài)測試
1、測試整流電路
找下結(jié)果,可以判定電路已出現(xiàn)異常,A.到變頻器內(nèi)部直流電源的P端和N端,將萬用表調(diào)到電阻X10檔,紅表棒接到P,黑表棒分別依到R、S、T,正常時有幾十歐的阻值,且基本平衡。相反將黑表棒接到P端,紅表棒依
變頻器維修圖片
變頻器維修圖片(5張)
次接到R、S、T,有一個接近于無窮大的阻值。將紅表棒接到N端,重復(fù)以上步驟,都應(yīng)得到相同結(jié)果。如果有以阻值三相不平衡,說明整流橋有故障.B.紅表棒接P端時,電阻無窮大,可以斷定整流橋故障或啟動電阻出現(xiàn)故障。
2、測試逆變電路
將紅表棒接到P端,黑表棒分別接U、V、W上,應(yīng)該有幾十歐的阻值,且各相阻值基本相同,反相應(yīng)該為無窮大。將黑表棒N端,重復(fù)以上步驟應(yīng)得到相同結(jié)果,否則可確定逆變模塊有故障。
動態(tài)測試
在靜態(tài)測試結(jié)果正常以后,才可進(jìn)行動態(tài)測試,即上電試機(jī)。在上電前后必須注意以下幾點(diǎn):
1、上電之前,須確認(rèn)輸入電壓是否有誤,將380V電源接入220V級變頻器之中會出現(xiàn)炸機(jī)(炸電容、壓敏電阻、模塊等);
2、檢查變頻器各接插口是否已正確連接,連接是否有松動,連接異常有時可能會導(dǎo)致變頻器出現(xiàn)故障,嚴(yán)重時會出炸機(jī)等情況;
3、上電后檢測故障顯示內(nèi)容,并初步斷定故障及原因;
4、如未顯示故障,首先檢查參數(shù)是否有異常,并將參數(shù)復(fù)歸后,在空載(不接電機(jī))情況下啟動變頻器,并測試U、V、W三相輸出電壓值。如出現(xiàn)缺相、三相不平衡等情況,則模塊或驅(qū)動板等有故障;
5、在輸出電壓正常(無缺相、三相平衡)的情況下,負(fù)載測試,盡量是滿負(fù)載測試。[1]
故障判斷
1、整流模塊損壞
通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下,更換整流橋。在現(xiàn)場處理故障時,應(yīng)重點(diǎn)檢查用戶電網(wǎng)情況,如電網(wǎng)電壓,有無電焊機(jī)等對電網(wǎng)有污染的設(shè)備等。
2、逆變模塊損壞
通常是由于電機(jī)或電纜損壞及驅(qū)動電路故障引起。在修復(fù)驅(qū)動電路之后,測驅(qū)動波形良好狀態(tài)下,更換模塊。在現(xiàn)場服務(wù)中更換驅(qū)動板之后,須注意檢查馬達(dá)及連接電纜。在確定無任何故障下,才能運(yùn)行變頻器。
3、上電無顯示
通常是由于開關(guān)電源損壞或軟充電電路損壞使直流電路無直流電引起,如啟動電阻損壞,操作面板損壞同樣會產(chǎn)生這種狀況。
4、顯示過電壓或欠電壓
通常由于輸入缺相,電路老化及電路板受潮引起。解決方法是找出其電壓檢測電路及檢測點(diǎn),更換損壞的器件。
5、顯示過電流或接地短路
通常是由于電流檢測電路損壞。如霍爾元件、運(yùn)放電路等。
6、電源與驅(qū)動板啟動顯示過電流
通常是由于驅(qū)動電路或逆變模塊損壞引起。
7、空載輸出電壓正常,帶載后顯示過載或過電流
通常是由于參數(shù)設(shè)置不當(dāng)或驅(qū)動電路老化,模塊損壞引起。
過電流保護(hù)
在變頻器維修中,過電流保護(hù)的對象主要指帶有突變性質(zhì)的、電流的峰值超過了變頻器的容許值的情形.
由于逆變器的過載能力較差,所以變頻器的過電流保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán),迄今為止,已發(fā)展得十分完善.
一、過電流的原因
1、工作中過電流即拖動系統(tǒng)在工作過程中出現(xiàn)過電流.其原因大致來自以下幾方面:
① 電動機(jī)遇到?jīng)_擊負(fù)載,或傳動機(jī)構(gòu)出現(xiàn)“卡住”現(xiàn)象,引起電動機(jī)電流的突然增加.
② 變頻器的輸出側(cè)短路,如輸出端到電動機(jī)之間的連接線發(fā)生相互短路,或電動機(jī)內(nèi)部發(fā)生短路等.
③ 變頻器自身工作的不正常,如逆變橋中同一橋臂的兩個逆變器件在不斷交替的工作過程中出現(xiàn)異常。例如由于環(huán)境溫度過高,或逆變器件本身老化等原因,使逆變器件的參數(shù)發(fā)生變化,導(dǎo)致在交替過程中,一個器件已經(jīng)導(dǎo)通、而另一個器件卻還未來得及關(guān)斷,引起同一個橋臂的上、下兩個器件的“直通”,使直流電壓的正、負(fù)極間處于短路狀態(tài)。
2、升速時過電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大,而升速時間又設(shè)定得太短時,意味著在升速過程中,變頻器的工作效率上升太快,電動機(jī)的同步轉(zhuǎn)速迅速上升,而電動機(jī)轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速因負(fù)載慣性較大而跟不上去,結(jié)果是升速電流太大。
3、降速中的過電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大,而降速時間設(shè)定得太短時,也會引起過電流。因為,降速時間太短,同步轉(zhuǎn)速迅速下降,而電動機(jī)轉(zhuǎn)子因負(fù)載的慣性大,仍維持較高的轉(zhuǎn)速,這時同樣可以是轉(zhuǎn)子繞組切割磁力線的速度太大而產(chǎn)生過電流。
二、處理方法
1、 起動時一升速就跳閘,這是過電流十分嚴(yán)重的現(xiàn)象,主要檢查
① 工作機(jī)械有沒有卡住
② 負(fù)載側(cè)有沒有短路,用兆歐表檢查對地有沒有短路
③ 變頻器功率模塊有沒有損壞
④ 電動機(jī)的起動轉(zhuǎn)矩過小,拖動系統(tǒng)轉(zhuǎn)不起來
2、 起動時不馬上跳閘,而在運(yùn)行過程中跳閘,主要檢查
① 升速時間設(shè)定太短,加長加速時間
② 減速時間設(shè)定太短,加長減速時間
③ 轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償(U/F比)設(shè)定太大,引起低頻時空載電流過大
④ 電子熱繼電器整定不當(dāng),動作電流設(shè)定得太小,引起變頻器誤動作
電壓保護(hù)
1、 過電壓保護(hù)
產(chǎn)生過電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太高
② 降速時間太短
③ 降速過程中,再生制動的放電單元工作不理想,來不及放電,請增加外接制動電阻和制動單元
④ 請檢查放電回路有沒有發(fā)生故障,實(shí)際并不放電;對于小功率的變頻器很有放電電阻損壞
2、 欠電壓保護(hù)
產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太低
② 電源缺相;
③ 整流橋故障:如果六個整流二極管中有部分因損壞而短路,整流后的電壓將下降,對于整流器件和晶閘管的損壞,應(yīng)注意檢查,及時更換。
逆變器件的介紹:
1.SCR和GTO晶閘管
⑴普通晶閘管SCR 曾稱可控硅,它有三個極:陽極,陰極和門極。
SCR的工作特點(diǎn)是,當(dāng)在門極與陰極間加一個不大的正向電壓(G為+,K為—)時,SCR即導(dǎo)通,負(fù)載Rl中就有電流流過。導(dǎo)通后,即使取消門極電壓,SCR仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)陽極電路的電壓為0或負(fù)值時,SCR才關(guān)斷。所以,只需要用一個脈沖信號,就可以控制其導(dǎo)通了,故它常用于可控整流。
作為一種無觸點(diǎn)的半導(dǎo)體開關(guān)器件,其允許反復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷的次數(shù)幾乎是無限的,并且導(dǎo)通的控制也十分方便。這是一般的“通-斷開關(guān)”所*的,從而使實(shí)現(xiàn)異步電動機(jī)的變頻調(diào)速取得了突破。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的,而SCR在直流電壓下又不能自行關(guān)斷,因此,要實(shí)現(xiàn)逆變,還必須增加輔助器件和相應(yīng)的電路來幫助它關(guān)斷。所以,盡管當(dāng)時的變頻調(diào)速裝置在個別領(lǐng)域(如風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載)已經(jīng)能夠?qū)嵱?,但未能進(jìn)入大范圍的普及應(yīng)用階段。
⑵門極關(guān)斷(GTO)晶閘管 SCR在一段時間內(nèi),幾乎是能夠承受高電壓和大電流的*半導(dǎo)體器件。因此,針對SCR的缺點(diǎn),人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關(guān)斷能力這一點(diǎn)上,并因此而開發(fā)出了門極關(guān)斷晶閘管。西門子6ES7321-1CH20-0AA0代理商
GTO晶閘管的基本結(jié)構(gòu)和SCR類似,它的三個極也是:陽極(A)、陰極(K)和門極(G)。其圖行符號也和SCR相似,只是在門極上加一短線,以示區(qū)別。
GTO晶閘管的基本電路和工作特點(diǎn)是:
①在門極G上加正電壓或正脈沖(開關(guān)S和至位置1)GTO晶閘管即導(dǎo)通。其后,即使撤消控制信號(開關(guān)回到位置0),GTO晶閘管仍保持導(dǎo)通。可見,GTO晶閘管的導(dǎo)通過程和SCR的導(dǎo)通過程*相同。
②如在G、K間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖(開關(guān)和至位置2),可使GTO晶閘管關(guān)斷。 用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結(jié)果,但其關(guān)斷控制較易失敗,故仍較復(fù)雜,工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時,大功率管(GTR)迅速發(fā)展了起來,使GTO晶閘管相形見絀。因此,在大量的中小容量變頻器中,GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大,故在大容量變頻器中,仍居主要地位。
逆變器件的介紹:上次我們向大家介紹了普通晶閘管(SCR)和門極關(guān)斷晶閘管(GTO),zui重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的,它們起到什么作用!接下來我們講:大功率晶體管(GTR)-大功率晶體管,也叫雙極結(jié)型晶體管(BJT)。
1、 變頻器用的GTR一般都是(復(fù)合管)模塊,其內(nèi)部有三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點(diǎn),在晶體管旁還并聯(lián)了一個反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點(diǎn),常做成雙管模塊,甚至可以做成6管模塊。
2、 工作時狀態(tài) 和普通晶體管一樣,GTR也是一種放大器件,具有三種基本的工作狀態(tài):
⑴放大狀態(tài) 起基本工作特點(diǎn)是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變 Ic=βIb 式中β------GTR的電流放大倍數(shù)。
GTR處于放大狀態(tài)時,其耗散功率Pc較大。設(shè)Uc=200V,Rc=10Ω,β=50,Ib=200mA(0.2A) 計算如下:Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵飽和狀態(tài) Ib增大時,Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當(dāng) βIb>Uc/Rc 時,Ic=βIb的關(guān)系便不能再維持了,這時,GTR開始進(jìn)入“飽和"狀態(tài)。而當(dāng) Ic的大小幾乎*由歐姆定律決定,即 Ics≈Uc/Rc 時,GTR便處于深度飽和狀態(tài)(Ics 為飽和電流)。這時,GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V。
GTR處于飽和狀態(tài)時的功耗是很小的。上例中,設(shè)Uces=2V,則 Ics=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesIcs=2*20W=40W
可見,與放大狀態(tài)相比,相差甚遠(yuǎn)。
⑶截止?fàn)顟B(tài) 即關(guān)斷狀態(tài)。這是基極電流Ib≤0的結(jié)果。
在截止?fàn)顟B(tài),GTR只有很微弱的漏電流流過,因此,其功耗是微不足道的。
GTR在逆變電路中是用來作為開關(guān)器件的,工作過程中,總是在飽和狀態(tài)間進(jìn)行交替。所以,逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述,如果GTR處于放大狀態(tài),其功耗將增大達(dá)百北以上。所以,逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。
3.主要參數(shù)
⑴在截止?fàn)顟B(tài)時
①擊穿電壓Uceo和Ucex:能使集電極C和發(fā)射極E之間擊穿的zui小電壓?;鶚OB開路是用 Uceo表示,B、E間接入反向偏壓時用Ucex 表示。在大多數(shù)情況下,這兩個數(shù)據(jù)是相等的。
②漏電流Iceo 和 Icex:截止?fàn)顟B(tài)下,從C極流向E極的電流。B極開路時為 Iceo,B、E間反偏時為 Icex。
⑵在飽和狀態(tài)時
① 集電極zui大電流Icm:GTR飽和導(dǎo)通是的zui大允許電流。
② 飽和壓降Uces:當(dāng)GTR飽和導(dǎo)通時,C、E間的電壓降。
⑶在開關(guān)過程中
① 開通時間Ton:從B極通入正向信號電流時起,到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時間。
② 關(guān)斷時間Toff:從基極電流撤消時起,至Ic下降至0.1 Ics 所需的時間
開通時間和關(guān)斷時間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率。通常,使用GTR做逆變管時的載波頻率底于2KHz。
4.變頻器用GTR的選用
⑴Uceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來選擇。
Uceo≥2廠2U 在電源電壓為380V的變頻器中,應(yīng)有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V,故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。
⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來選擇 Icm≥2廠2 In GTR是用電流信號進(jìn)行驅(qū)動的,所需驅(qū)動功率較大,故基極驅(qū)動系統(tǒng)比較復(fù)雜,并使工作頻率難以提高,這是其不足之處。 今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT
1、 功率場效應(yīng)晶體管(POWER MOSFET) 它的3個極分別是源極S、漏極D和柵極G
其工作特點(diǎn)是,G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小,主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大,故控制電流幾乎為0,所需驅(qū)動功率很小。和GTR相比,其驅(qū)動系統(tǒng)比較簡單,工作頻率也比較高。此外,MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大 等優(yōu)點(diǎn)。
但是,功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢,故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。
2、 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物,是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)(MOS結(jié)構(gòu))的晶體管,它的三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。
工作特點(diǎn)是,控制部分與場效應(yīng)晶體管相同,控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高,柵極電流I≈0,故驅(qū)動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同,工作電流為集電極電流I。
至今,IGBT的擊穿電壓也已做到1200V,集電極zui大飽和電流已超過1500A,由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達(dá)到250KVA以上。
此外,其工作頻率可達(dá)20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上,故電動機(jī)的電源波形比較平滑,基本無電磁噪聲。
在變頻器工作時,流過變頻器的電流是很大的, 變頻器產(chǎn)生的熱量也是非常大的,不能忽視其發(fā)熱所產(chǎn)生的影響
通常,變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺變頻器的發(fā)熱量大概是多少. 可以用以下公式估算: 發(fā)熱量的近似值= 變頻器容量(KW)×55 [W]
在這里, 如果變頻器容量是以恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載為準(zhǔn)的 (過流能力150% * 60s)
如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器, 并且也在柜子里面, 這時發(fā)熱量會更大一些。 電抗器安裝在變頻器側(cè)面或測上方比較好。
這時可以用估算: 變頻器容量(KW)×60 [W]
因為各變頻器廠家的硬件都差不多, 所以上式可以針對各品牌的產(chǎn)品.
注意: 如果有制動電阻的話,因為制動電阻的散熱量很大, 因此安裝位置和變頻器隔離開, 如裝在柜子上面或旁邊等。
那么, 怎樣才能降低控制柜內(nèi)的發(fā)熱量呢?
當(dāng)變頻器安裝在控制機(jī)柜中時,要考慮變頻器發(fā)熱值的問題。
根據(jù)機(jī)柜內(nèi)產(chǎn)生熱量值的增加,要適當(dāng)?shù)卦黾訖C(jī)柜的尺寸。因此,要使控制機(jī)柜的尺寸盡量減小,就必須要使機(jī)柜中產(chǎn)生的熱量值盡可能地減少。
如果在變頻器安裝時,把變頻器的散熱器部分放到控制機(jī)柜的外面,將會使變頻器有70%的發(fā)熱量釋放到控制機(jī)柜的外面。由于大容量變頻器有很大的發(fā)熱量,所以對大容量變頻器更加有效。
還可以用隔離板把本體和散熱器隔開, 使散熱器的散熱不影響到變頻器本體。這樣效果也很好。 注意:變頻器散熱設(shè)計中都是以垂直安裝為基礎(chǔ)的,橫著放散熱會變差的!
冷卻風(fēng)扇
一般功率稍微大一點(diǎn)的變頻器, 都帶有冷卻風(fēng)扇。同時,也建議在控制柜上出風(fēng)口安裝冷卻風(fēng)扇。進(jìn)風(fēng)口要加濾網(wǎng)以防止灰塵進(jìn)入控制柜。 注意控制柜和變頻器上的風(fēng)扇都是要的,不能誰替代誰。
其他關(guān)于散熱的問題
在海拔高于1000m的地方,因為空氣密度降低,因此應(yīng)加大柜子的冷卻風(fēng)量以改善冷卻效果。理論上變頻器也應(yīng)考慮降容,1000m每-5%。但由于實(shí)際上因為設(shè)計上變頻器的負(fù)載能力和散熱能力一般比實(shí)際使用的要大, 所以也要看具體應(yīng)用。 比方說在1500m的地方,但是周期性負(fù)載,如電梯,就不必要降容。
2。 開關(guān)頻率:變頻器的發(fā)熱主要來自于IGBT, IGBT的發(fā)熱有集中在開和關(guān)的瞬間。 因此開關(guān)頻率高時自然變頻器的發(fā)熱量就變大了。 有的廠家宣稱降低開關(guān)頻率可以擴(kuò)容, 就是這個道理。
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