CuProtect工藝 - 美國專li8,945,343 B2-用施加的電壓解封裝。  TotalProtect Process - 美國專li9,543,173 B2-用施加的電壓和冷卻系統(tǒng)解封裝。  PlasmaEtch Process - 美國專li9,548,227 B2 - 使用等離子體放電管的微波誘導(dǎo)等離子體。
 

　　行業(yè)的化學(xué)芯片開封系統(tǒng)----JetEtch Pro
 

　　美國 Nisene Technology Group 生產(chǎn)的 JetEtch 自動開封機(jī)，可采用雙酸刻蝕，并利用負(fù)壓噴霧技術(shù)進(jìn)行刻蝕。根據(jù)不 同的器件封裝材料和尺寸，可設(shè)定不同的試驗條件，進(jìn)行定位刻蝕。主要可設(shè)置的試驗參數(shù)包括：采用刻蝕酸的種 類、刻蝕酸的比例、蝕刻溫度、蝕刻時間、酸的流量(酸的用量)、清洗的時間等。同時采取漩渦噴酸的方式，可大 大降低用酸量，從而能夠比較精確地去除掉芯片表面的封裝材料，達(dá)到較好的開封效果。根據(jù)器件的不同封裝形式， 可選取不同封裝開口模具，可控制開口的位置和大小，目前配有的開口模具有多種，基本滿足目前的封裝需要，如 適用 DIP/SIP，PLCC，OFP，PBGA，芯片倒裝 BGA 和 S0 小外型封裝。
 

　　Nisene 是世界領(lǐng)xian的專注從事失效分析自動開封、IC 芯片去層、塑封蝕刻技術(shù)研究和設(shè)備制造的美國公司，有著 28 年的自動開封和蝕刻研發(fā)制造歷史， Nisene 科技公司很榮幸的介紹我們的新一代革命性酸液自動化開封 機(jī) (Decapsulator)。我們命名為 JetEtch pro，正如其名，一個符合當(dāng)今 IC 封裝之開封機(jī)設(shè)計要求，新型 Jetetch 第二代 開封機(jī)秉持著我們對半導(dǎo)體去除處理的一貫的承諾證明了 Nisene 科技公司為符合現(xiàn)在直至來失效分析專業(yè)需求而 提供創(chuàng)新，高質(zhì)量設(shè)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)； 今日 JetEtch pro 硬件，操作系統(tǒng)和軟件*重新設(shè)計并保留了以前熟悉的、精 密的設(shè)計以呈現(xiàn)比以往更靈活設(shè)計的開封機(jī)。 JetEtch pro 操作簡易、直覺的軟件透過簡單編程的順序逐步引導(dǎo)操作 員。一但設(shè)定完成，只以二個擊鍵便使軟件能完成一整個蝕刻程序。
 

 

　　基于以下原因，我們需要將IC塑封材料進(jìn)行去除：
 

　　1. 檢查IC元件為何失效；
 

　　2. 執(zhí)行質(zhì)量控制檢測和測試；
 

　　3. 為了研發(fā)的要求對芯片的設(shè)計進(jìn)行修訂。
 

　　初出現(xiàn)的是手動開封，為了檢查芯片的一些缺陷而手動去除芯片外面包裹的塑封材料。但是手動開封存在著安全性不夠高，重復(fù)性較差，精度控制非常低，開封速度不夠快等問題。為此在這個基礎(chǔ)上NISENE研制出自動開封機(jī)JetEtch Pro，以解決手動開封存在的問題。JetEtch Pro系統(tǒng)通過用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去處塑料的過程又快又安全，并且產(chǎn)生干凈無腐蝕的芯片表面。整個腐蝕過程是在一定壓力下的惰性氣體中完成的，不但能降低金屬氧化而且降低了產(chǎn)生的廢氣。這套系統(tǒng)被設(shè)計成在極少培訓(xùn)的條件下安全并易于使用。
 

　　JetEtch pro CuProtect 一些特性和優(yōu)點表現(xiàn)如下：
 

　　1.  銅線開封技術(shù)，專li的離子保護(hù)銅線技術(shù)。
 

　　2. 一條高亮度六線字母數(shù)字的顯示在所有情況排煙柜的照明下保證的可見性；
 

　　3. JetEtch pro CuProtect 為不同的構(gòu)裝類型可充分地編輯程序和存放 100 組蝕刻程序。JetEtch pro CuProtect 在產(chǎn)業(yè)呈 現(xiàn)的準(zhǔn)確性和功能性*；
 

　　4. 溫度選擇和自動精確溫度檢測；升降溫時間快，硝酸與硫酸的切換使用只需很小的時間；
 

　　5. JetEtch pro CuProtect 酸混合選擇：JetEtch pro CuProtect 軟件可以使用硝酸、硫酸或混合酸，另含 13 組混酸比率；
 

　　6.具有專li技術(shù)的泵浦可以達(dá)到精準(zhǔn)酸的配比和快的腐蝕效率
 

　　7. 蝕刻劑混合選擇確保準(zhǔn)確性及重復(fù)率，1ml~6ml/sec 的酸量選擇能提供更好的腐蝕效果；
 

　　8. 專li JetEtch pro CuProtect 電氣泵和蝕刻頭配件組；
 

　　9. 蝕刻劑流向選擇：渦流蝕刻和脈沖蝕刻，JetEtch pro CuProtect 廢酸分流閥；
 

　　10. 不會有機(jī)械損傷或影響焊線；不會有腐蝕性損傷或影響外部引腳；可以選擇硝酸、冷硫酸進(jìn)行沖洗或不沖洗；
 

　　11. 無需等待，*腐蝕一顆樣品多只要 1~2 分鐘；
 

　　12. 通常使用的治具會與設(shè)備一同提供；通常情況不需要樣品制備；
 

　　13. 酸和廢酸存儲在標(biāo)準(zhǔn)化的酸瓶中；
 

　　14. 設(shè)備小巧，只需很小的空間擺放；安全蓋凈化：安全、簡單、牢靠。
 

　　例子：
 

 

　　主機(jī)(mm/英寸) 290 高 x 290 寬 x 419 深 / 11.5 高 x 11.5 寬 x 16.5 深
 

　　瓶柜(mm/英寸) 230 高 x 110 寬 x 110 深 / 9 高 x 4.25 寬 x 4.25 深
 

　　重量(KG/磅)
 

　　17 / 38 (包含瓶柜和附件)
 

　　電源
 

　　350 W @ 95 - 130 VAC or 350 W @ 210 - 250 VAC
 

　　壓縮空氣/氮氣要求
 

　　壓縮空氣 4.2 kg/cm2 / 60 –100 psi
 

　　氮氣供應(yīng) 2.8公升/分鐘 / 0.1 立方英尺/分鐘
 

　　可用的蝕刻液#FormatImgID_10#
 

　　蝕刻液流量:脈沖模式1、2、5或1-10mL/min;渦流模式1-6mL/min
 

　　煙硝酸
 

　　煙硫酸
 

　　硫酸(濃縮試劑)
 

　　硝酸：硫酸混合比例：6:1, 5:1, 4:1, 3:1
 

　　硫酸：硝酸混合比例 6:1, 5:1, 4:1, 3:1
 

　　溫度范圍
 

　　硝酸  20 – 90(°C)
 

　　硫酸  20 – 250(°C)
 

　　混合酸 20 – 100(°C)
 

　　蝕刻時間和方式
 

　　(用戶可選)
 

　　1–1800秒可調(diào)，1秒的增量
 

　　脈沖蝕刻模式, 渦流蝕刻模式
 

　　程序容量: 100,用戶自定義
 

　　升溫時間
 

　　(用戶可選)
 

　　0 – 120 秒可調(diào)，1秒的增量
 

　　清洗
 

　　硫酸、硝酸，無須清洗
 

　　儲液器
 

　　500mL或1升瓶
 

　　33/38/40/45mm蓋的尺寸
 

　　4個瓶子: 2個裝酸, 2個裝廢液
 

　　證書
 

　　CE證書, SEMI S-2-93, SEMI S-2-2000