MBE PC-001 分子束外延（MBE）
- 公司名稱 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 MBE PC-001
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2023/11/1 15:30:01
- 訪問次數(shù) 1475
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司(簡稱：鵬城半導(dǎo)體），由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團(tuán)隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新yin/ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造。
公司人才團(tuán)隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊；還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計師團(tuán)隊，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
半導(dǎo)體材料,工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計,生產(chǎn)制造
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,電子 |
|---|
分子束外延(MBE)實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗證和外延片的生長制造。
分子束外延薄膜生長設(shè)備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
我公司設(shè)計制造的分子束外延薄膜生長實驗設(shè)備，分實驗型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，技術(shù)*，性能可靠，用途多，實用性強(qiáng)，價格相對較低，可供各大學(xué)的實驗室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實驗、科學(xué)研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。
功能特點
本項目于2005年在國內(nèi)完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計和制造，做到自主可控。自主設(shè)計MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）等核心部件。
可實現(xiàn)第二代半導(dǎo)體（如砷化鎵等）和第三代半導(dǎo)體（如碳化硅和氮化鎵）的外延生長。
設(shè)備組成與主要技術(shù)指標(biāo)
設(shè)備的組成
進(jìn)樣室
該室用于樣品的進(jìn)出倉，并配置有多樣片儲存功能。樣品庫可放六片基片。
預(yù)處理室
該室用于樣品在進(jìn)入外延室之前進(jìn)行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理。還用于對外延后的樣片進(jìn)行后工藝處理，如高溫退火等等。
外延室
超高真空潔凈真空室，實現(xiàn)分子束外延工藝。
主要技術(shù)指標(biāo)
進(jìn)樣室
極限真空：5.0×10-5Pa
樣品裝載數(shù)量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，帶樣品載具）
預(yù)處理室
極限真空：5×10-7Pa
樣品臺加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）
離子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV
外延室
| 項目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 極限真空 | 離子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱輔助） |
| 樣品臺加熱溫度 | 室溫～ 1200℃±1℃（PID 控制） |
| 樣品自轉(zhuǎn)速度 | 2 ～ 20 轉(zhuǎn) / 每分鐘（無級可調(diào)） |
| 氣態(tài)離化源 | 1～3套（氮） |
| 固態(tài)束源爐 | 3 ～ 8 套（根據(jù)用戶需求配置） |
| Rheed | 1套 |
*工藝室部分部件根據(jù)客戶需求不同，所配置不同。
實驗型分子束外延（MBE）（單基片）
設(shè)備組件
超高真空直線型電子槍
自主研發(fā)直線型電子槍，滿足超高真空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求；可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā)。
超高真空直線型電子槍
高能衍射槍及電源
束斑0.6mm，高壓25kV。
光斑在熒光屏上可衍射圖像經(jīng)CCD 相機(jī)采集后由計算機(jī)進(jìn)行圖像處理。
生產(chǎn)型分子 束外延（MBE）（大尺寸 單基片，多片小尺寸）
工藝實現(xiàn)
使用鵬城半導(dǎo)體自主研發(fā)的分子束外延設(shè)備生長的Bi2-xSbxTe3。
1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7
采購中心
化工儀器網(wǎng)