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青島明華電子儀器有限公司

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PVA-3-d1.2-SMD III-V族短波紅外探測器

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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  北京北埃特光電子有限責(zé)任公司成立于2001年,是從事光電子高技術(shù)產(chǎn)品的研究開發(fā)、技術(shù)引進(jìn)和生產(chǎn)銷售的高科技公司。公司位于北京市海淀區(qū)中關(guān)村,公司以光電子技術(shù)產(chǎn)品的研究開發(fā)和生產(chǎn)銷售為基礎(chǔ),追蹤世界前沿技術(shù),并與美國、波蘭、德國、荷蘭等國的高技術(shù)公司在CCD成像、紅外及夜視、激光、光譜學(xué)、光電探測器件、光電信息及圖像處理、空間光學(xué)等方面有廣泛的技術(shù)合作。公司實力雄厚,凝聚了一批有創(chuàng)新精神、有事業(yè)心的高素質(zhì)和高技術(shù)人才隊伍,能提供先進(jìn)的高科技產(chǎn)品和良好的技術(shù)服務(wù)支持。愿北埃特光電子有限責(zé)任公司與您攜手共創(chuàng)美好的未來!
  北京北埃特光電子技術(shù)有限責(zé)任公司
  BIT Photoelectronic Co.,Ltd.
  北京海淀區(qū)中關(guān)村南大街9號理工科技大廈7015室
  RM7015 Science & Technology Tower No.9 Zhongguancun South Street, Beijing 100081
  專注非制冷/半導(dǎo)體制冷/液氮制冷/斯特林制冷紅外探測器、黑體輻射源20年!






VIGO室溫型紅外探測器,VIGO半導(dǎo)體制冷紅外探測器,液氮制冷紅外探測器,標(biāo)準(zhǔn)黑體輻射源,腔式黑體和面源黑體,偏振成像系統(tǒng),PbS和PbSe探測器

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價格區(qū)間 面議
應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,能源,電子,航天 波長響應(yīng)范圍: 1.3-3.6微米
工作溫度: 室溫 封裝形式: SMD
峰值電流響應(yīng)率: Ri>0.6A/W(典型) 峰值探測率: D*>3.0E9

III-V族短波紅外探測器光敏材料為InAs,符合嚴(yán)苛的歐洲環(huán)保標(biāo)準(zhǔn);采用SMD封裝,小型可靠易于安裝;波長響應(yīng)為1.3-3.6微米、覆蓋從短波到中波紅外;線性響應(yīng)范圍寬,響應(yīng)功率從1微瓦到數(shù)毫瓦;無需制冷工作在室溫環(huán)境;適合用于CO、HF、NH3、C2H2、CH4、C2H6、HCI等氣體探測。

III-V族短波紅外探測器的主要技術(shù)指標(biāo):

工作環(huán)境溫度:20 攝氏度;

波長響應(yīng):1.3-3.6微米

峰值響應(yīng)波長:2.9微米;

峰值電流響應(yīng)率Ri:0.6 A/W;

峰值探測率D*:>3.0x109

1.3微米處響應(yīng)率:>10%峰值響應(yīng)率;

3.6微米處響應(yīng)率:>10%峰值響應(yīng)率;

響應(yīng)時間:<45 納秒

封裝:SMD;

入射角:>115 度






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