P-300F Picosun
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 上海磊微科學(xué)儀器有限公司
- 品牌
- 型號 P-300F
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2023/4/4 15:56:40
- 訪問次數(shù) 918
產(chǎn)品標(biāo)簽
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| 價格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | TOF |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源 |
PICOSUN P-300系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD制造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。擁有的熱壁、*獨立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計， 確保我們可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量ALD薄膜。高效緊湊的設(shè)計使得維護(hù)更加方便、快捷， 最大限度的減少了系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成本。擁有專技術(shù)的Picoflow?使得在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積保形性薄膜更高效， 并已在生產(chǎn)線上得到驗證。
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)是一種的薄膜制備設(shè)備，用于制備微米或納米級別的涂層或膜，以應(yīng)用于包括半導(dǎo)體、電子、生物醫(yī)學(xué)和光學(xué)在內(nèi)的多個領(lǐng)域。該系統(tǒng)采用原子層沉積（ALD）技術(shù)，可以實現(xiàn)高精度、高質(zhì)量、高重復(fù)性和低缺陷的薄膜制備。
核心優(yōu)勢是利用薄膜制備過程中的化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)控制每個反應(yīng)步驟的沉積速率和化學(xué)反應(yīng)，以實現(xiàn)單層膜、多層膜或堆疊膜的精確控制。該系統(tǒng)可以使用多種有機(jī)/無機(jī)沉積氣體材料，所以可以生產(chǎn)多種不同類型的膜層。
采用豎直式的設(shè)計，在反應(yīng)室內(nèi)通過副反應(yīng)室進(jìn)入氣體，與基底進(jìn)行反應(yīng)沉積，尤其適用于小型和容易反應(yīng)的樣品，但也可用于大尺寸樣品。核心組件包括壓力鍋、氣壓控制和儀器電氣控制系統(tǒng)，使該系統(tǒng)具有的自動化和可重復(fù)性。
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，用于制造各種微電子設(shè)備如IC、MEMS、LED等，以及太陽能電池、氫燃料電池、生物醫(yī)學(xué)器材、強化材料等各種領(lǐng)域。由于該系統(tǒng)具有高效、高可靠性和高靈敏度，因此其應(yīng)用范圍很廣，具有的市場需求。以下是詳細(xì)介紹。
原理與工藝
的是氣相化學(xué)反應(yīng)技術(shù)，采用在線反應(yīng)室微觀熱墓和在線紅外線吸收光譜檢測系統(tǒng)，可以實現(xiàn)的反應(yīng)速率和高度可控制的反應(yīng)過程。兩種基本反應(yīng)原理是ALD一次反應(yīng)。
第一反應(yīng)：氣態(tài)前體 A + 基底表面 - 第一層（物質(zhì)A）
第二反應(yīng)：氣態(tài)前體 B + 第一層（物質(zhì)A） - 第二層（物質(zhì)B）
ALD制備薄膜的工藝流程如下：
1.基板預(yù)處理
清洗是保證ALD反應(yīng)的可靠性和一致性的最基本的前置處理工藝。清洗是將基板的表面粗糙度、污染物和氧化層除去，以及提供活性表面。通常，清洗過程可以使用化學(xué)浸泡、酸洗和高溫處理。在清洗過程中，應(yīng)控制基板表面的穩(wěn)定和一致，也應(yīng)減少基板污染和金屬熱氧化。
2.沉積前處理
沉積前處理是為了去除基板表面的雜質(zhì)，包括氧化物、有機(jī)物、水分子等，以便更好地與反應(yīng)氣體進(jìn)行反應(yīng)。一般來說，沉積前處理使用激活氣體，如氫氣、氟氣、氮氣等，在表面形成一個極其活性的表面，以便后續(xù)的反應(yīng)。在沉積前處理過程中，要確保處理的穩(wěn)定性和精確性。
3.原子層沉積
ALD的本質(zhì)是在表面上原子層移植，通過ALD可控制每一層的沉積厚度，初始化速率和控制膜質(zhì)量。ALD沉積一般采用靜態(tài)反應(yīng)，即在靜止的氣氛中，每個反應(yīng)基元分子沉積。此過程需要多個升降溫周期，即沉積源泵出B基元分子，氣氛清洗，加熱處理，B基元分子吸附，在加熱的過程中，升高到C基元分子泵出的溫度，C基元分子泵出，再經(jīng)過清洗。
4.結(jié)束處理
在沉積完成后，需要進(jìn)行后處理，以便將沉積過程中可能殘留的化學(xué)物質(zhì)去除，并使膜的性能更加穩(wěn)定和均勻。后處理過程包括清洗和烘烤，清洗是為了去除殘留的反應(yīng)物，而烘烤是為了去除表面的水分和表面張力，并進(jìn)一步強化膜的剩余應(yīng)力。
產(chǎn)品特點
1.精確和可重復(fù)制
的是原子層沉積技術(shù)，具有非常高的精度，將落在每一層的薄膜厚度控制在數(shù)個原子的尺度上，隨著復(fù)合層數(shù)目的增加，對最終的薄膜質(zhì)量的要求也在增加。同時，該系統(tǒng)也具有非常高的可重復(fù)性，可以保證每個沉積過程的質(zhì)量和結(jié)果都非常一致。
2.多樣化的附加功能
除了標(biāo)準(zhǔn)的原子層沉積功能之外，PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)還具有多種可選的功能，以滿足不同領(lǐng)域的需求。比如，防反射涂層、光學(xué)薄膜、生物醫(yī)用薄膜等，該系統(tǒng)可以根據(jù)不同領(lǐng)域的要求進(jìn)行調(diào)整，定制化的生產(chǎn)薄膜，從而使客戶得到產(chǎn)品。
3.高度智能化和技術(shù)
高度智能化的控制系統(tǒng)，使系統(tǒng)具有高度自動化和可重復(fù)性，可以在外部網(wǎng)站上實現(xiàn)現(xiàn)場監(jiān)控和控制。同時，系統(tǒng)采用了的技術(shù)，如紅外線光譜儀、微觀熱墓等，使系統(tǒng)具有高精度和高品質(zhì)的制造工藝。該系統(tǒng)還采用多種原理和各種控件之間的同步性，在反應(yīng)過程中保證了高度的一致性和可靠性。
4.廣泛適用的應(yīng)用領(lǐng)域
適用的領(lǐng)域非常廣泛，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電設(shè)備、微電子制造、太陽能電池、啟動裝置、燃料電池制造、生物醫(yī)學(xué)器材、電子電器制造等多個領(lǐng)域，以滿足不同領(lǐng)域的需求。
5.專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)由專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊支持，可提供全面的技術(shù)支持和培訓(xùn)，為客戶的研發(fā)和制造保駕護(hù)航。在安裝、調(diào)試和使用過程中感到疑惑時，可以隨時聯(lián)系技術(shù)支持團(tuán)隊獲取幫助。
主要優(yōu)勢
1.制備高質(zhì)量膜層：PICOSUN原子層沉積技術(shù)具有高度控制和預(yù)測性，可以在過程中獲得高質(zhì)量的膜層，使膜層的各種物理和化學(xué)性質(zhì)得到精確地控制。
2.高度可控性和準(zhǔn)確性：由于采用原子層級別制造技術(shù)，因此能在超小尺寸范圍內(nèi)控制每一層的厚度，從而精確地控制物質(zhì)的性質(zhì)，制備出滿足不同需求的膜層。
3.良好的生產(chǎn)效益：由于精確的原子層沉積技術(shù)和高度智能化的控制系統(tǒng)，使得PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)具有高效、可重復(fù)的生產(chǎn)效益。
4.更多的應(yīng)用領(lǐng)域：與其他技術(shù)比較，原子層沉積系統(tǒng)具有更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，可以廣泛應(yīng)用于電氣、電子、光學(xué)、化學(xué)和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域等多種領(lǐng)域。
5.為客戶定制的解決方案：PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)還可定制化，以滿足客戶不同需求的需求，從而優(yōu)化產(chǎn)品，為客戶提供更好的解決方案。
主要功能
1.超高功能型防反射涂層
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)支持多種防反射涂層，例如納米級SiO2和CaF2.這種超高功能型防反射涂層能夠在材料上覆蓋納米粒子加強材料自身的反射鏡效果，提升透過率和光響應(yīng)度，適用于各種光學(xué)器件。
2.光電設(shè)備的制備
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)提供的ALD制備沉積技術(shù)，可應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子制造領(lǐng)域。它可以高度控制膜的厚度和質(zhì)量，制造器件的性能穩(wěn)定，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
3.太陽能電池的制造
利用ALD制備技術(shù)，可以制作高效率，耐用和高可靠性的太陽能電池。該系統(tǒng)采用多種化學(xué)反應(yīng)，可以實現(xiàn)高度控制的層厚度、化學(xué)組成分布和加工能力，使太陽能電池更加堅韌、高效和可靠。
4.汽車啟動裝置的高效制造
汽車啟動裝置需要在各種環(huán)境下工作，PICOSUN原子層沉積技術(shù)可定制化制造多種高性能材料，可以滿足這些環(huán)境的需要。該系統(tǒng)提供了高度控制的層厚度和化學(xué)組成分布，可以提供優(yōu)質(zhì)的動力學(xué)性能和高可靠性。
5.醫(yī)學(xué)用途材料制備
與傳統(tǒng)壓滴涂涂等技術(shù)制備醫(yī)用器材相比，PICOSUN原子層沉積技術(shù)可定制化制造其他多種材料，如沉積小分子化合物或生物材料膜、制備緩釋藥物等，從而提供更大的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品線選擇。
6.氫燃料電池的高效生產(chǎn)
PICOSUN原子層沉積技術(shù)可應(yīng)用于氫燃料電池的生產(chǎn)制造。該技術(shù)提供了多種精準(zhǔn)制造功能，例如可定制化的負(fù)載控制，可快速制造出高質(zhì)量、高精度的氫燃料電池。此外，該系統(tǒng)還可以克服傳統(tǒng)生產(chǎn)方法所受到的成本和效率限制。
7.塑料、古董等物件的保護(hù)護(hù)理
PICOSUN原子層沉積技術(shù)也可用于物件保護(hù)層的制備。例如對于塑料制品和古董中的絲綢、纖維等材料,可制備保護(hù)層用于彌補這些物質(zhì)的缺陷和凹陷，及從而維護(hù)其使用壽命，對它們的物理及化學(xué)性質(zhì)中的損傷起到防護(hù)作用。
規(guī)格參數(shù)
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
最大沉積面積(mm): 200×200×800（WxDxH)
氣氛處理方式: 靜態(tài)/動態(tài)流
氣氛處理材料：金屬和半導(dǎo)體（納米級和亞納米級）
反應(yīng)室最高溫度(℃): 客戶可定制化
外部尺寸(mm): 1200×900×1850WxDxH
設(shè)備重量(kg): 850
控制系統(tǒng): 液晶觸摸屏、PLC控制系統(tǒng)
反應(yīng)器膜層數(shù)：最高可達(dá)1000
附屬設(shè)備：
紫外線燈
真空泵
高精度儀器電熱膜轉(zhuǎn)臺
紅外線光譜儀
微觀測熱儀
多示波器
壓力計
小型氣泵
結(jié)論
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)是一種可以制備高質(zhì)量、精準(zhǔn)薄膜的薄膜加工設(shè)備，具有多種應(yīng)用功能，可以制備多種膜層，涵蓋多個領(lǐng)域和行業(yè)，包括半導(dǎo)體、電子、生物醫(yī)學(xué)和光學(xué)等。其基于ALD技術(shù)的沉積過程具有高度可控性、高精準(zhǔn)性和生產(chǎn)效益性，并且可以根據(jù)不同領(lǐng)域的需要進(jìn)行定制化制造，以滿足客戶不同的需求。該系統(tǒng)的安裝、調(diào)試和使用過程十分簡單，質(zhì)量和效率均得到保證，其有效地為客戶提供了更多的解決方案，也為其帶來更廣泛的市場需求。
PICOSUN? P-300F系統(tǒng)代表了工業(yè)化ALD工藝。這個系統(tǒng)是為全自動的批量生產(chǎn)而設(shè)計， 并與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的單片晶圓真空集群平臺相結(jié)合。 P-300F系統(tǒng)通過SEMI S2/S8認(rèn)證，可以通過SECS/GEM整合到自動化生產(chǎn)線上。
The PICOSUN? P-300F是IC行業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動行業(yè)的選ALD系統(tǒng)！
襯底尺寸和類型
200 mm 晶圓 50片/批次
150 mm 晶圓 50片/批次
100 mm 晶圓 50片/批次
高深寬比基底（最大深寬比1:2500）
基底材料： Si,玻璃，石英， SiC,GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP
工藝溫度和產(chǎn)率
50 – 300°C
最高達(dá)到1000片/24h@15nm Al2O3薄膜
批量生產(chǎn)的平均工藝時間小于10秒/循環(huán)*
Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬
同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ
(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**
基片裝載
全自動裝載， 帶垂直翻轉(zhuǎn)功能的真空集群設(shè)備
通過Picoplatform? 200 真空集群系統(tǒng)進(jìn)行盒 對盒批量裝載
可選SMIF配置
前驅(qū)體
液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務(wù)
6根獨立源管線， 最多加載12個前驅(qū)體源
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