原子層刻蝕通常包括4個步驟的周期，根據需要可重復多次，以達到所需的刻蝕深度。以下是使用 Cl2/Ar進行AlGaN刻蝕的ALE示例：

步驟 1) 對基底進行刻蝕氣體的投放，刻蝕氣體吸附在刻蝕材料上并與之發(fā)生反應。通常，刻蝕氣體經等離子體解離以增強吸附速率。通過正確選擇投放氣體和參數，這個步驟可以實現自限制，即在吸附一層分子后化學投放停止。

步驟 2) 清除所有剩余的投放氣體

步驟 3) 用低能惰性離子轟擊表面，去除已發(fā)生反應的表面層。如果離子的能量足以去除化學修飾層，但不足以（濺射）刻蝕下層塊狀材料，這可能是自限制。

步驟 4)清除腔室內的刻蝕產物。

原子層刻蝕的優(yōu)勢

• 采用低離子能量，刻蝕損傷小

• 精確控制刻蝕深度

• 超薄層去除

• 自限制行為

• 選擇性高，因為可對劑量氣體和離子能量進行定制，以盡量減少對掩膜層或底層材料的刻蝕

• 刻蝕速率受刻蝕特征長寬比的影響較小（即減少ARDE），因為自由基的供應和表面離子轟擊已分成獨立的步驟

• 由于具有自限性，均勻性得到改善

• 刻蝕表面光滑

• 由于依賴離子轟擊，因此具有各向異性