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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> EVG610-EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

[供應(yīng)]EVG610-EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

貨物所在地:上海上海市

產(chǎn)地:奧地利

更新時(shí)間:2024-09-07 21:00:06

有效期:2024年9月7日 -- 2025年3月7日

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EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)EVG610(單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī) 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級(jí)各個(gè)階層用戶,非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)介紹:

EVG®610(單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī) 微流控 納米壓印??)是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng),可處理零碎片和大200 mm的晶圓。

EVG610(單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī) 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級(jí)各個(gè)階層用戶,非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

應(yīng)用:

MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用。

EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)特征

1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

2、頂部和底部對(duì)準(zhǔn)功能

3、高精度對(duì)準(zhǔn)

4、自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列

5、電動(dòng)的和程序控制的曝光間隙

6、支持先進(jìn)的UV-LED技術(shù)

7、小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

8、分步流程指引

9、遠(yuǎn)程技術(shù)支持

10、多用戶概念(無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問(wèn)權(quán)限,不同語(yǔ)言)

11、敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工

12、臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面

附加功能:

1.鍵合對(duì)準(zhǔn)

2.紅外對(duì)準(zhǔn)

3.納米壓印光刻(NIL)

【技術(shù)參數(shù)】

1.掩模版-基板-晶圓尺寸

掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸

基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm

晶圓厚度:高達(dá)10mm

2.對(duì)準(zhǔn)模式

頂部對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 0,5 µm

底部對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 2,0 µm

紅外對(duì)準(zhǔn)模式:≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料

3.頂部顯微鏡

移動(dòng)范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)

移動(dòng)范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)

移動(dòng)范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)

可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡,可以增加對(duì)比度

4.底部顯微鏡

移動(dòng)范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)

移動(dòng)范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)

移動(dòng)范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)

可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡,可以增加對(duì)比度

5.曝光器件

(1)波長(zhǎng)范圍:

NUV:350 - 450 nm

DUV:低至200 nm (可選)

(2)光源:

汞燈350W , 500W UV LED燈

(3)均勻性:

150mm:≤ 3%

200mm:≤ 4%

(4)濾光片:

汞燈:機(jī)械式

UV LED:軟件可調(diào)

6.曝光模式

接觸:硬、軟接觸,真空

曝光間隙:1 - 1000 µm

線寬精度:1µm

模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

可選:內(nèi)部,浸入,扇形

7.可選功能

鍵合對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 2,0 µm

納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm

納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率

8.設(shè)施

真空:< 150 mbar

壓縮氣體:6 bar

氮?dú)猓嚎蛇x2或者6 bar

排氣要求:汞燈需要;LED不需要

9.系統(tǒng)方式

系統(tǒng):windows

文件分享和軟件備份

無(wú)限程序儲(chǔ)存,參數(shù)儲(chǔ)存在程序內(nèi)

支持多語(yǔ)言,含中文

實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程支持,診斷和排除故障

10.楔形補(bǔ)償

全自動(dòng)- 軟件控制

11.規(guī)格(單面/雙面光刻機(jī) 微流控加工 掩模對(duì)準(zhǔn))

占地面積:0.55m²

高度:1.01m

重量:約250kg

納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)

支持工藝:Soft UV-NIL

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