EVG810 LT 低溫等離子活化系統(tǒng)

用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和高級襯底鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)

一、簡介

EVG810 LT （LowTemp™）低溫等離子活化系統(tǒng)是一個(gè)獨(dú)立單腔室系統(tǒng)，具有手動操作功能。 處理室允許非原位處理（晶片一個(gè)接一個(gè)地激活并且鍵合在等離子體活化室外部）。

二、特征

用于低溫鍵合的表面等離子體活化（熔合/分子和中間層鍵合）

任何晶圓鍵合機(jī)制的zui快動力學(xué)

無需濕法工藝

低溫退火時(shí)的zui高鍵合強(qiáng)度（zui高400°C）

適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)封裝

高度的材料兼容性（包括CMOS）

三、參數(shù)

1.晶圓尺寸：50-200mm，100-300mm

2.低溫等離子活化腔：

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

通用大流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000 sccm）

真空系統(tǒng)：0.09 mbar

打開/關(guān)閉腔室：自動化

裝載/卸載腔室：手動（晶圓/基板放置在裝載銷上）

3.備選功能：

用于不同的晶圓尺寸的夾頭

金屬離子激活

帶有氣體混合的附加工藝氣體

帶渦輪泵的高真空系統(tǒng)：0.009 mbar的基礎(chǔ)氣壓