多用途的IC/5理想地適用于控制多源、多坩堝、多材料或多過程系統(tǒng)的膜層沉積速率和膜厚。IC/5可滿足即使Z復雜、Z高要求與特殊應用的需要。它擅長于過程控制、邏輯功能、程序和膜層儲存容量、過程數(shù)據(jù)管理，尤其是沉積速率與膜厚的控制。
多用途的IC/5理想地適用于控制多源、多坩堝、多材料或多過程系統(tǒng)的膜層沉積速率和膜厚。IC/5可滿足即使zui復雜、zui高要求與特殊應用的需要。它擅長于過程控制、邏輯功能、程序和膜層儲存容量、過程數(shù)據(jù)管理，尤其是沉積速率與膜厚的控制。
主要性能參數(shù)
◆ 頻率分辨率：在6.0 MHz時0.03 Hz
◆ 質(zhì)量分辨率：0.375 ng／cm?
◆ 感應晶片頻率：2.5， 3， 5， 6， 9.5， 10 MHz
◆ 膜厚顯示：0.000～ 999.9 K＆Aring；
◆ 成膜速率：00.0～999 Ang／sec?。?font face="Arial">0～9.99μm／min）
◆ 膜層數(shù)量：1～999
◆ 圖形顯示：256×64 LCD ，CCFL背景照明
◆ 全套配置
◆ MDC360C主機 一臺、振蕩器及電纜線 一套、探頭 一個、晶片 5片
◆ 主機尺寸：16.98×3.47×9.355（單位：英寸）
前面板寬度18.98英寸
全面的過程控制
IC/5具有寬廣的功能，它可啟動抽空過程、控制閥門、啟用基片加熱器等。這些增強的功能使系統(tǒng)無需配備輔助儀器，從而降低系統(tǒng)的復雜性和成本。IC/5的邏輯與控制功能包含100個可編程的邏輯狀態(tài)；I/O和TTL繼電器電路板提供多至24個繼電器輸出，28個TTL輸入，14個TTL輸出，20個計數(shù)和20個計時。邏輯狀態(tài)可與外輸入或輸出聯(lián)用。每個狀態(tài)可包含多至5個功能，并用布爾邏輯鏈接。IC/5可為源控制或圖形記錄儀輸出提供6個可賦值的模擬輸出、沉積速率、膜厚或沉積速率的偏離。
強力的過程處方和數(shù)據(jù)管理
IC/5膜層控制儀提供若干功能和選件，幫助用戶高效地管理過程處方和數(shù)據(jù)：
豐富的機載儲存 – 多至50個過程和250個膜層。允許即時進入您使用的過程數(shù)據(jù)和處方文件。這個進入性對包含許多膜層的復雜過程，對運行于多種工藝過程的鍍膜系統(tǒng)，以及對研制或工藝發(fā)展等應用尤其有價值。
磁盤驅(qū)動選件 – 用于無限制地儲存過程數(shù)據(jù)和處方。離線編輯軟件選件 – 用于在計算機（不是IC/5面板）上，鍵入或輸入數(shù)據(jù)。用這個軟件編程更為方便與有效，尤其對多層膜和多材料過程。數(shù)據(jù)記錄 – 有關的過程信息（zui終膜厚，平均沉積速率，運行次數(shù)，膜層數(shù)等）可用ASCII格式自動記錄入遙控通訊端口、打印機端口或磁盤中。采用磁盤驅(qū)動選件，IC/5可將數(shù)據(jù)保存于展開的格式中，使過程的數(shù)據(jù)儲存與處理簡易化。數(shù)據(jù)記錄可方便地進行運行后分析與快速的校正作用。對于遵循ISO9000或QA認證的生產(chǎn)，過程跟蹤是*的。
Auto Z – 用于多層材料的精密鍍膜
IC/5自動確定Z比值的Auto Z技術，提高了鍍層膜厚與沉積速率的控制精度，用戶不再需要計算聲阻（Z）比值3。當在晶體上沉積多種材料時，比值Z隨材料在晶體上的比例而變化，因此，Z值的變化是動態(tài)的。Auto Z連續(xù)修正過程進行中的Z比值。在單一晶體上沉積分層的或合金材料的過程中，為保持精確的膜層厚度和沉積速率，這個功能是尤其重要的。
3Auto Z – 美國號5,112,642
In/MgF2鍍膜的AUTO Z精度 AUTO Z大大地提高了多層材料和膜層測量的膜厚精度。 |
AUTO TUNE – 用于快速設置
IC/5的Auto Tune功能免除了反復試探的步驟，節(jié)省了設置時間，它可快速地自動確定源的反饋控制閉環(huán)常數(shù)。Auto Tune選擇若干控制算法中的*算法 – 包括三參數(shù)PID（正比，積分，微分）算法 – 達到對各種各樣源的平穩(wěn)控制。
多傳感件測量 – 用于高重復性
對某些光學鍍膜和其它應用，重復性與均勻度是尤其重要的。IC/5控制儀可集成多至8個傳感件的測量，將源的不均勻分布效應降至zui小，并確保上一次與下一次鍍膜運行之間的膜層沉積速率和zui終膜厚良好的*性。當基片在行星基片架上旋轉(zhuǎn)時，IC/5從各個傳感件的位置上同時收集數(shù)據(jù)，確保取得的信息代表當前源的分布。與單個傳感件的控制儀比較，多傳感件測量由于控制膜層的固定總合沉積速率、與源分布中的波動無關，大大地改善了膜厚的重復性。當源的分布模式改變時，IC/5適當?shù)卣{(diào)整功率。盡管任何一個傳感件上的沉積速率可有相當大的變化而總的沉積速率保持不變。沉積于每個基片上的材料總量受到精確的控制；總的膜厚精度與單個傳感件的控制儀相比可提高兩至三倍。由于準確地探測源的耗損導致的特性變化，多傳感件測量可幫助您：
預計何時需再添加源
確定電子槍的掃描、射程和高頻率振動等參數(shù)的*設置值
配制更好的過程處方
因為所有傳感件均鏈接至一臺IC/5控制儀，對機柜的空間要求zui小，其校正速度比老式的多控制儀/計算機組合結(jié)構(gòu)要快三至五倍。
精確的共沉積
IC/5控制兩種材料的同時鍍膜。它包含一個編程的比值參數(shù)，在變化的沉積速率中控制合金的比率，還有一個交叉靈敏度（或串適）參數(shù)，自動補償來自一個源的材料鍍覆至用于控制另一個源的傳感件上。Auto Z功能還對IC/5的共沉積有貢獻，當不同材料混合在一個晶體上時保持膜厚的精度。
容易裝入現(xiàn)有的裝置中
IC/5備有適配電纜，易于安裝至現(xiàn)有的裝置中，更換老的INFICON或其它制造廠的膜層控制儀。詳細請與我們部門。
