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| 應用領域 | 環(huán)保,化工,生物產業(yè),地礦,綜合 |
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工業(yè)硅中鐵鋁鈣錳鈦鎳銅鉻釩鈉硼含量測定儀
工業(yè)硅化學分析方法 第4部分 雜質元素含量的測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法介紹
一、概述
GB/T 14849.4-2014是中華人民共和國國家標準，主要規(guī)定了工業(yè)硅中雜質元素含量的測定方法，特別是采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP-AES）進行測定。這一方法結合了原子發(fā)射光譜法的多元素同時測定優(yōu)點和較寬的線性范圍，適用于固、液、氣態(tài)樣品的直接分析。
二、技術特點
多元素同時測定：ICP-AES技術允許同時對主、次、痕量元素成分進行測定，提高了分析效率。
寬線性范圍：該技術具有較寬的線性范圍，使得在測定不同濃度的元素時都能得到準確的結果。
直接分析：ICP-AES技術適用于固、液、氣態(tài)樣品的直接分析，無需復雜的樣品前處理過程。
三、測定步驟
雖然具體的測定步驟在GB/T 14849.4-2014中詳細規(guī)定，但通常ICP-AES法的分析過程可以概括為以下幾個步驟：
樣品準備：將工業(yè)硅樣品進行適當的處理，如研磨、溶解等，以便進行后續(xù)的測定。
激發(fā)：利用電感耦合等離子體作為激發(fā)光源，使樣品中的元素原子化并激發(fā)到高能級。
發(fā)射光譜：被激發(fā)的原子在回到基態(tài)時會發(fā)射特定波長的光，形成發(fā)射光譜。
光譜分析：通過光譜儀器將發(fā)射光譜分解為按波長排列的光譜線，利用光電器件檢測光譜，并進行定性和定量分析。
四、應用領域
規(guī)定的ICP-AES法不僅適用于工業(yè)硅中雜質元素含量的測定，也廣泛應用于冶金、機械、地質、環(huán)保、生化樣品分析以及食品安全監(jiān)控等多個領域。
五、總結
中的電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法是一種高效、準確、多功能的分析技術，對于工業(yè)硅中雜質元素含量的測定具有重要意義。通過該技術，可以實現對工業(yè)硅中多種雜質元素的快速、準確測定，為工業(yè)硅的質量控制提供有力支持。
工業(yè)硅中鐵鋁鈣錳鈦鎳銅鉻釩鈉硼含量測定儀
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