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ZH411高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀(基本型)τ:10~6000μs ρ>3Ω?cm 型號(hào):ZH411
參考價(jià): 面議
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訪問次數(shù):694更新時(shí)間:2024-11-28 11:40:14

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產(chǎn)品簡介
用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,除需要有一個(gè)測(cè)量平面外,對(duì)樣塊體形嚴(yán)格要求,可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
產(chǎn)品介紹

高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀(基本型)τ:10~6000μs ρ>3Ω•cm 型號(hào):ZH411 貨號(hào):ZH411
1、  用途
用于硅、鍺樹脂動(dòng)態(tài)粘度計(jì)單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,除需要有一個(gè)測(cè)量平面外,對(duì)樣塊體形嚴(yán)格要求,可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
2、  設(shè)備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關(guān)斷時(shí)間<0.2-1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測(cè)量硅單晶)   脈沖電流:5A~20A定性測(cè)試紙
如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源
2.2、高頻源
頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出功率>1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應(yīng):2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。
3、測(cè)量范圍
LT-1可測(cè)硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測(cè)量范圍:5~6000μs
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