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脈沖激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)
  • 脈沖激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)
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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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更新時間:2024-12-10 08:01:24瀏覽次數(shù):2472評價

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脈沖激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)
憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國內(nèi)外擁有較多用戶,為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。

脈沖激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)

脈沖激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)

(PLD MBE)

憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國內(nèi)外擁有較多用戶,為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。

PVD公司是美國主要制造商,是一家專業(yè)從事脈沖激光沉積分子束外延(PLD MBE)和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)及組件的設(shè)計和制造的公司,提供超高真空薄膜沉積系統(tǒng),應(yīng)用于分子束外延、UHV濺射和脈沖激光沉積。產(chǎn)品主要集中在小型研究開發(fā)系統(tǒng),其應(yīng)用主要包括:
用分子束外延進(jìn)行半導(dǎo)體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長;
UHV磁控濺射磁性薄膜;
脈沖激光沉積超導(dǎo)薄膜、氧化物和陶瓷材料。
脈沖激光分子束外延系統(tǒng)

儀器主要配置:
主腔室,樣品傳輸腔,1100度加熱系統(tǒng),樣品旋轉(zhuǎn),PLD靶材操控器及光路,K-cell熱蒸發(fā)源,電子束蒸發(fā)源,射頻RF離子源。
應(yīng)用主要包括:
分子束外延系統(tǒng)(MBE);
GaAs、InP和GaSb外延;
HgCdTe外延;
GaN、InN和AlN外延;
Ⅱ-Ⅵ族外延;
SiGe外延;
Si/金屬/氧化物外延;
超高真空物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng);
磁控濺射系統(tǒng);
脈沖激光沉積(PLD)系統(tǒng);
電子束蒸發(fā)系統(tǒng);
離子束沉積系統(tǒng);
熱蒸發(fā)系統(tǒng)。



PVD公司已經(jīng)在全球范圍內(nèi)安裝了超過100套的超高真空系統(tǒng)。絕大部分的產(chǎn)品都是針對用戶定制設(shè)計復(fù)雜的沉積系統(tǒng)。在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶定制設(shè)計的背景,在用戶中具有很好的聲譽(yù)。許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)最初都是起源于針對某些客戶對沉積過程特殊需求的解決方案,與廣大的中國用戶開展更為廣泛的交流與合作,為廣大的中國用戶提供國際PLD MBE和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)制造商的產(chǎn)品和服務(wù)。


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