一、介質(zhì)損耗試驗(yàn)概述：
任何絕緣材料在電壓作用下，總會(huì)流過(guò)一定的電流，所以都有能量損耗，把在電壓作用下電介質(zhì)產(chǎn)生的一切損耗稱(chēng)為介質(zhì)損耗。 由于直流電壓下電介質(zhì)中的損耗主要是漏導(dǎo)損耗，用絕緣電阻或漏導(dǎo)電流就足以充分表示了，所以在交流電壓下引入介質(zhì)損耗，它表示在交流電壓作用下有功電流和無(wú)功電流的比值。介質(zhì)損耗只與材料特性有關(guān)，而與材料尺寸、體積無(wú)關(guān)的物理量。
二、試驗(yàn)儀器的選擇及試驗(yàn)方法：
2.1試驗(yàn)時(shí)使用的儀器
自動(dòng)介損測(cè)試儀、QS1型西林電橋
2.2試驗(yàn)方法
2.2.1 QS1型西林電橋
2.2.1.1技術(shù)特性
QS1型電橋的額定工作電壓為10kV，tgδ測(cè)量范圍是0.5％～60％，試品電容Cx是30pF～0.4μF（當(dāng)CN為50pF時(shí)）。 該電橋的測(cè)量誤差是：tgδ=0.5％～3％時(shí)，絕對(duì)誤差不大于±0.3％；tgδ=3％一60％時(shí)，相對(duì)誤差不大于±10％。被試品電容量CX的測(cè)量誤差不大于±5％。如果工作電壓高于10kV，通常只能采用正接線(xiàn)法并配用相應(yīng)電壓的標(biāo)準(zhǔn)電容器。 電橋也可降低電壓使用，但靈敏度下降，這時(shí)為了保持靈敏度，可相應(yīng)增加CN的電容量（例如并聯(lián)或更換標(biāo)準(zhǔn)電容器）。 2.2.1.2接線(xiàn)方式1.正接線(xiàn)法。所謂正接線(xiàn)就是正常接線(xiàn)，如圖一，在正接線(xiàn)時(shí)，橋體處于低壓，操作安全方便。 因不受被試品對(duì)地寄生電容的影響，測(cè)量準(zhǔn)確。但這時(shí)要求被試品兩極均能對(duì)地絕緣（如電容式套管、耦合電容器等），由于現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備外殼幾乎都是固定接地的，故正接線(xiàn)的采用受到了一定限制。
2.反接線(xiàn)法：
反接線(xiàn)適用于被試品一極接地的情況，故在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用較廣。這時(shí)的高、低電壓端恰與正接線(xiàn)相反，因而稱(chēng)為反接線(xiàn)。在反接線(xiàn)時(shí)，電橋體內(nèi)各橋臂及部件處于高電位。 所以在面板上的各種操作都是通過(guò)絕緣柱傳動(dòng)的。此時(shí)，被試品高壓電極連同引線(xiàn)的對(duì)地寄生電容將與被試品電容Cx并聯(lián)而造成測(cè)量誤差，尤其是Cx值較小時(shí)更為顯著。 當(dāng)被試品一極接地而電橋又沒(méi)有足夠絕緣強(qiáng)度進(jìn)行反接線(xiàn)測(cè)量時(shí)，可采用對(duì)角接線(xiàn)，在對(duì)角接線(xiàn)時(shí)，由于試驗(yàn)變壓器高壓繞組引出線(xiàn)回路與設(shè)備對(duì)地（包括對(duì)低壓繞組）的全部寄生電容均與Cx并聯(lián)，給測(cè)量結(jié)果帶來(lái)很大誤差。 因此要進(jìn)行兩次測(cè)量，一次不接被試品，另一次接被試品，然后按式（3-1）計(jì)算，以減去寄生電容的影響。tgδ=（C2 tgδ2-C1 tgδ1）/（C2-C1） （3-1）
CX=（C2-C1） （3-2）
式中 tgδ1——未接人被試品時(shí)的測(cè)得值；
tgδ2——接人被試品后的測(cè)得值；
C1——未接人被試品時(shí)測(cè)得的電容；
C2——接人被試品后測(cè)得的電容。 這種接線(xiàn)只有在被試品電容遠(yuǎn)大于寄生電容時(shí)才宜采用。用QSI型電橋作對(duì)角線(xiàn)測(cè)量時(shí)，還需將電橋后背板引線(xiàn)插頭座拆開(kāi)，將D點(diǎn)的輸出線(xiàn)屏蔽與接地線(xiàn)斷開(kāi)，以免E點(diǎn)與地接通將R3短路。 此外，在電橋內(nèi)裝有一套低壓電源和標(biāo)準(zhǔn)電容器，供低壓測(cè)量用，通常用來(lái)測(cè)量壓（100V）大容量電容器的特性。當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)電容CN=0.001μF時(shí)，試品電容 Cx的范圍是300pF～10μF；當(dāng)CN=0.01μF時(shí)，CX的范圍是3000pF～100μF。tgδ的測(cè)量精度與高壓測(cè)量法相同，Cx的誤差應(yīng)不大于±5％。2.2.2數(shù)字式自動(dòng)介損測(cè)量?jī)x： 數(shù)字式介損測(cè)量?jī)x的基本原理為矢量電壓法。數(shù)字式介損型測(cè)量?jī)x為一體化設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，內(nèi)置高壓試驗(yàn)電源和BR26型標(biāo)準(zhǔn)電容器，能夠自動(dòng)測(cè)量電氣設(shè)備的電容量及介質(zhì)損耗等參數(shù)，并具備先進(jìn)的于擾自動(dòng)抑制功能，即使在強(qiáng)烈電磁干擾環(huán)境下也能進(jìn)行精確測(cè)量。 電通過(guò)軟件設(shè)置，能自動(dòng)施加 10、5kV或2kV測(cè)試電壓，并具有完善的安全防護(hù)措施。能由外接調(diào)壓器供電，可實(shí)現(xiàn)試驗(yàn)電壓在l～10kV范圍內(nèi)的任意調(diào)節(jié)。當(dāng)現(xiàn)場(chǎng)干擾特別嚴(yán)重時(shí)，可配置45～60HZ異頻調(diào)壓電源，使其能在強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。 數(shù)字式自動(dòng)介損測(cè)量?jī)x為一體化設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，使用時(shí)把試驗(yàn)電源輸出端用專(zhuān)用高壓雙屏蔽電纜 滯插頭及接線(xiàn)掛鉤）與試品的高電位端相連、把測(cè)量輸人端（分為“不接地試品" 和“接地試品"兩個(gè)輸入端）用專(zhuān)用低壓屏蔽電纜與試品的低電位端相連，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不接地試品或接地試品（以及具有保護(hù)的接地試品）的電容量及介質(zhì)損耗值進(jìn)行測(cè)量。 測(cè)量時(shí)根據(jù)試品的接地狀況選擇正接線(xiàn)。在有干擾時(shí)應(yīng)設(shè)法排除以保證測(cè)量結(jié)果的可靠性，試驗(yàn)前應(yīng)將設(shè)備的表面清理干凈。
（1）tgδ值于歷年的數(shù)值比較不應(yīng)有顯著變化（一般不大于30%）
（2）試驗(yàn)電壓如下：
繞組電壓10kV及以上 10kV
繞組電壓10kV以下 Un
1測(cè)量按試驗(yàn)時(shí)使用的儀器的有關(guān)操作要求進(jìn)行。
2應(yīng)采取適當(dāng)?shù)拇胧┫妶?chǎng)及磁場(chǎng)干擾，如屏蔽法、倒相法、 移相法。
3非被試?yán)@組應(yīng)接地或屏蔽。
4盡量使每次測(cè)量的溫度相近。5應(yīng)注意測(cè)試高壓線(xiàn)對(duì)地的絕緣問(wèn)題
