VSParticle 全自動(dòng)納米研究平臺(tái)致力于提供快捷的納米材料研究方式,團(tuán)隊(duì)基于“火花燒蝕"技術(shù)將導(dǎo)電靶材快速轉(zhuǎn)換為納米氣溶膠,為您解鎖納米材料研究新方案。
納米粒子發(fā)生器
VSP-G1 是桌面式的納米氣溶膠粒子發(fā)生器,可產(chǎn)生 0~20nm 的納米氣溶膠,可適用于 60 多種元素的導(dǎo)電材料,可用于制備:納米金屬、合金、氧化物,部分半導(dǎo)體及碳材料。
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VSParticle 全自動(dòng)納米研究平臺(tái)
沉積配件
擴(kuò)散配件:利用小擴(kuò)散作用收集分散性良好的納米粒子,可支持多種二維材料基底表面的單分散或低覆蓋率沉積
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過濾配件:利用靜電吸附及攔截作用,可將納米氣溶膠粒子沉積在基底表面及內(nèi)部,可支持多孔材料基底的高覆蓋率沉積
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沖壓配件:將納米氣溶膠通過泵的作用沉積在基底表面,可得到多孔層狀材料,可應(yīng)用于局部沉積及形狀打印
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VSParticle 全自動(dòng)納米研究平臺(tái)規(guī)格
基于火花放電技術(shù)的氣溶膠發(fā)生器,基于物理法產(chǎn)生納米氣溶膠,無(wú)雜質(zhì)與模板劑
智能化操作,只需控制三個(gè)按鈕即可完成全自動(dòng)運(yùn)行
常溫常壓工作環(huán)境,火花溫度 20000K
*普適性,適用于 60 多種元素的導(dǎo)電材料的氣溶膠生成,靶材可向多數(shù)濺射靶材生產(chǎn)商定制
典型氣溶膠顆粒粒徑:0~20nm
多接口多氣路,可與其他設(shè)備形成有效聯(lián)用
應(yīng)用
粉末包覆
VSP-PC 可利用 VSP-G1 產(chǎn)生的納米粒子對(duì)常規(guī)的粉末材料進(jìn)行表面點(diǎn)綴與包覆,可實(shí)現(xiàn)多批次簡(jiǎn)單包覆和單批次大量包覆。
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3D 打印
利用 VSP-P1 可在各種基底表面進(jìn)行大比表面積材料沉積,構(gòu)造結(jié)構(gòu)材料,可應(yīng)用于電路印刷,傳感器制造等。
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粒徑篩選
利用 VSP-S1 可對(duì) G1 產(chǎn)生的氣溶膠進(jìn)行精準(zhǔn)篩選,并將單分散粒徑的顆粒沉積在基底表面。目前可實(shí)現(xiàn) 0~10 nm 之內(nèi)的顆粒篩選,精度 0.5nm。
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