在線的、實時地跟蹤分子間的相互作用
越來越多發(fā)表的科學(xué)文獻證明了QCM-D系統(tǒng)的技術(shù)可靠性。該技術(shù)的核心是石英晶體在負載電壓下以一個特定頻率振蕩。當晶體上的質(zhì)量改變時，振蕩的共振頻率也會隨之變化。通過這種方法，可以在納克級靈敏度上測定質(zhì)量變化。
這種*的Q-Sense設(shè)計可以同時測量耗散因子，從而提供薄膜的結(jié)構(gòu)和粘彈性信息。它可以提供諸如吸附膜的分子結(jié)構(gòu)、厚度、水含量的信息。此外還可以檢測反應(yīng)前、進行中和結(jié)束后的表面吸附層的變化。耗散因子是指當電路斷開后震蕩的晶體頻率降低到0的時間快慢。
任何可在傳感器上形成薄膜的物質(zhì)都可以進行免標記測試，這些物質(zhì)包括聚合物、金屬和化學(xué)改性表面。實時測試系統(tǒng)每秒可提供高達200個數(shù)據(jù)點。
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