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上海滬怡電氣科技有限公司

中級(jí)會(huì)員·13年

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供應(yīng)簡介

HY2855 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

詳細(xì)介紹

HY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是100kHz～100MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。使用HY2852A或HY2853A數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）。

1 HY2855 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn)：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在100kHz～100MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制TFT彩屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)，調(diào)諧電容值等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～70MHz（HY2852D）, 50kHz～160MHz（HY2853D）測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)源輸出口，

所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率100kHz～100MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±5%

2.3 介質(zhì)損耗裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：
      HY916D:Φ38mm和Φ50mm二種.
      HY915:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：
      0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性：
      0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：
      ±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
      25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
      ≤2.5×10-4

2.4 電感器：
按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配100μH或250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。

2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量儀提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性

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