赫爾納優(yōu)勢(shì)供應(yīng)瑞士SiTek一維/二維位敏探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：SiTek探測(cè)器主要有兩種類型：一維和二維。SiTek位敏探測(cè)器PSD根據(jù)側(cè)面效應(yīng)光電二極管原理工作，具有出色的位置分辨率。SiTek位敏探測(cè)器PSD，高分辨率，位置非線性±0.1%和±0.3%供應(yīng)瑞士SiTek一維/二維位敏探測(cè)器

 

 

產(chǎn)品屬性：一維/二維位敏探測(cè)器SiTek規(guī)格數(shù)據(jù)是在以下條件下測(cè)量的：

- 偏壓=15V

- 溫度23°C

- 位置非線性和熱漂移的測(cè)量范圍為探測(cè)器長度的80%

- 熱漂移的測(cè)量范圍為23°C至70°C

- 除非另有說明，否則所有數(shù)值均為典型值

- 有關(guān)詳細(xì)數(shù)據(jù)，請(qǐng)參閱各數(shù)據(jù)表供應(yīng)瑞士SiTek一維/二維位敏探測(cè)器

 

SiTek位敏探測(cè)器PSD的特點(diǎn)：

- 將光點(diǎn)或輻射點(diǎn)的位置轉(zhuǎn)換為信號(hào)電流

- PSD探測(cè)器具備出色的位置分辨率和線性度

- 光譜響應(yīng)范圍廣

- 可在各種光照或輻射強(qiáng)度下工作

- 響應(yīng)時(shí)間短

- 同時(shí)測(cè)量光或輻射強(qiáng)度的位置

- 不受光點(diǎn)或輻射點(diǎn)聚焦的影響

- 動(dòng)態(tài)范圍廣

供應(yīng)瑞士SiTek一維/二維位敏探測(cè)器

 

SiTek位敏探測(cè)器PSD的應(yīng)用：

- 距離和高度測(cè)量

- 校準(zhǔn)、位置運(yùn)動(dòng)測(cè)量和振動(dòng)研究

- 非接觸式距離測(cè)量系統(tǒng)（三角測(cè)量法）

- 校準(zhǔn)和表面水平測(cè)量

- 定位和運(yùn)動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)

- 光學(xué)光譜分析儀

- 三維機(jī)器視覺（輪廓映射）

- 角度測(cè)量系統(tǒng)

供應(yīng)瑞士SiTek一維/二維位敏探測(cè)器