晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
晶體三管正偏二次擊穿熱阻抗測(cè)試儀可測(cè)試種型號(hào)中、大功率晶體管的二次擊穿電壓和熱阻抗參數(shù)。系統(tǒng)軟件基于微軟視窗系統(tǒng)的操作環(huán)境，使您輕松掌握測(cè)試。
本系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，為用戶提供友好直觀的操作界面，測(cè)試數(shù)據(jù)處理方便，自動(dòng)繪制PD（熱阻功率）曲線和二次擊穿曲線，并求兩曲線的交點(diǎn)，在該交點(diǎn)及其附近靠?jī)?nèi)一點(diǎn)測(cè)試器件的熱阻值。
晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測(cè)試系統(tǒng)功能特點(diǎn)：
1.正偏二次擊穿電壓測(cè)試可測(cè)試NPN型晶體三管，熱阻抗測(cè)試可測(cè)試種型號(hào)中、大功率晶體管測(cè)試方法靈活、開(kāi)放；
2.靈活的M值測(cè)試，可控制測(cè)試過(guò)程中不測(cè)試M值而自行輸入M值；
3.可定時(shí)測(cè)試，穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試也可定特定時(shí)間內(nèi)zui大溫差測(cè)試；
4.加熱電源可遙控也可手動(dòng)；
5.采用微機(jī)控制，基于Windows系統(tǒng)的控制軟件，具有友好的人機(jī)交互界面，窗口填表式編程，測(cè)試結(jié)果以表格及圖形曲線方式顯示，使您輕松掌握測(cè)試。
晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測(cè)試系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)：
加熱電壓源：0-300V 負(fù)載能力：3.，可根據(jù)用戶需要進(jìn)行功率擴(kuò)展，zui大到10A
加熱電流源IH：
電流量程       分辨力     精度
-250mA-250mA   122uA     ±(610uA+2%set)
±(250mA~2.5)A 1.22mA    ±(6.1mA+2%set)
±(2.~3.5)A  12.2mA    ±(61mA+2%set)
測(cè)量電流源IM
電流量程：-250mA~250mA
分 辨 力：122uA
精    度：±(244uA+0.5%set)
VBE電壓表：
電壓量程        分辨力    精度
-312.5~312.5mV  152.5uV  ±(1.22mV+1%Rdg)
±(312.5~625)mV 305uV    ±(1.22mV+0.8%Rdg)
±(0.625~1.25)V 0.61mV   ±(2.44mV+0.3%Rdg)
±(1.25~2.5)V   1.22mV   ±(2.44mV+0.25%Rdg)
VCE電壓表
電壓量程          分辨力     精度
-8.125~8.125V     3.97 mV   ±(7.94mV+0.25%Rdg)
±(8.125~16.25)V  7.94mV    ±(15.88mV+0.25%Rdg)
±(16.25~32.5) V  15.88mV   ±(31.76mV+0.25%Rdg)
±(32.5~65) V     31.76mV   ±(63.52mV+0.25%Rdg)
±(65~130) V      63.52mV   ±(127.04mV+0.25%Rdg)
±(260~300) V     127.04mV  ±(254.08mV+0.25%Rdg)
加熱脈沖寬度
脈寬：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms
      1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s
（1s以上的測(cè)試需要測(cè)試盒使用散熱器）
測(cè)量范圍：10℃~125℃
精        度：±0.5℃
環(huán)境溫度：10℃~35℃ 開(kāi)機(jī)到測(cè)量M 值，環(huán)境溫度變化應(yīng)在±2℃以內(nèi)
光        照：應(yīng)避免光線直射測(cè)試盒及主機(jī)
熱        源：應(yīng)避免測(cè)試盒及主機(jī)附近有較強(qiáng)熱源
相對(duì)濕度：≤80%(40℃)
大氣壓力：86~106KPa
供電電壓：220V±10%
供電電流：50Hz±5%
額定功率：1.5KW
zui大尺寸：550×535×220mm
總        重：50kg
預(yù)熱時(shí)間：30分鐘