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產(chǎn)品型號(hào)
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海
更新時(shí)間:2020-09-03 15:48:33瀏覽次數(shù):1053次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)DH5α Chemically Competent Cell
XL10-Gold Chemically Competent Cell
DB3.1 Electroporation-Competent Cel
DB3.1 Chemically Competent Cell
純度 | 99.99% | 供貨周期 | 現(xiàn)貨 |
---|---|---|---|
規(guī)格 | 100μl/支 | 貨號(hào) | XY9081 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)業(yè) | 主要用途 | BY4741菌株來(lái)源于釀酒酵母原始菌株——S288C,是實(shí)驗(yàn)室的常用菌株,為配子 |
BY4741 Chemically Competent Cell
產(chǎn)品規(guī)格
BY4741 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3個(gè)月)
pYES2 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12個(gè)月)
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12個(gè)月)
PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12個(gè)月)
基因型
MATa his3Δ1 leu2 met15Δ ura3-52
BY4741 Chemically Competent Cell產(chǎn)品說(shuō)明
BY4741菌株來(lái)源于釀酒酵母原始菌株——S288C,是實(shí)驗(yàn)室的常用菌株,為配子MATa型,廣泛應(yīng)用于鈉,鉀離子平衡;細(xì)胞抗鹽;各種金屬離子的吸收;重金屬毒性;各種糖類(lèi),碳源對(duì)真核生物細(xì)胞生長(zhǎng)的影響;過(guò)氧化物,超氧化物的吸收與運(yùn)輸?shù)难芯恐?。BY4741釀酒酵母為組氨酸、亮氨酸、甲硫氨酸 、尿嘧啶缺陷型菌株,可直接通過(guò)PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進(jìn)入BY4741細(xì)胞內(nèi)。質(zhì)粒pYES2的篩選標(biāo)志為URA,可用SD-URA板板進(jìn)行篩選。生產(chǎn)的BY4741感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個(gè)月,pYES2質(zhì)粒檢測(cè)轉(zhuǎn)化效率>103 cfu/μg DNA。
操作方法
1. 取100 µl冰上融化的BY4741感受態(tài)細(xì)胞,依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒1-3 µg,Carrier DNA (96℃水浴3 min,快速冰浴
3 min,重復(fù)一次) 10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻,30℃水浴30 min (15 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
2. 將感受態(tài)移到42℃水浴15 min (7.5 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
3. 5000 rpm離心 40 s棄上清,ddH2O 400 µl 重懸,離心 30s棄上清。
4. ddH2O 50 µl重懸,涂板,29℃培養(yǎng)48-96 h。
注意事項(xiàng)
1. 感受態(tài)細(xì)胞在冰上融化。
2. 若使用pYES2質(zhì)粒表達(dá)蛋白,需在培養(yǎng)基中加入2%的半乳糖(篩選培養(yǎng)基中不用加半乳糖;當(dāng)需要目的蛋白表達(dá)時(shí),需加入半乳糖代替葡萄糖作為碳源),以誘導(dǎo)目的基因的表達(dá)。
3. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少終用于涂板的菌量。
4. 同時(shí)轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時(shí)可增加質(zhì)粒的用量。
5. 酵母為真核生物,不易長(zhǎng)期保存,隨感受態(tài)在-80℃保存時(shí)間的延長(zhǎng),轉(zhuǎn)化效率會(huì)不斷下降,建議保存時(shí)間不超過(guò)90天。
6. BY4741酵母菌株對(duì)高溫敏感,適生長(zhǎng)溫度為27-30℃;高于31℃,生長(zhǎng)速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
7. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長(zhǎng)速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長(zhǎng)越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克??;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克隆。
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