應(yīng)用：

光學(xué)電流和磁場傳感器，OCS。

應(yīng)用：

兩側(cè)鍍電極的BSO晶體可以用于光學(xué)電壓和電場傳感器。

俄羅斯Sillenites公司的BSO和BGO晶體

光折變晶體，可鍍膜加電極，BSO晶體和BGO晶體

俄羅斯Sillenites Ltd 成立于 2006 年，由來自 Ioffe 研究所的研究人員和配鏡師組成的小組成立，目的是簽訂國家項(xiàng)目績效合同。“大口徑高分辨率光學(xué)尋址空間光調(diào)制器"項(xiàng)目在2006年至2008年的兩年內(nèi)獲得了科技創(chuàng)新型企業(yè)援助基金會（FASIE）的競賽支持。在這兩年里，項(xiàng)目的第一階段已經(jīng)完成，項(xiàng)目空間光調(diào)制器的原型已經(jīng)開發(fā)出來，收到了三項(xiàng)關(guān)于空間光調(diào)制器不同光學(xué)結(jié)構(gòu)的知識產(chǎn)權(quán)申請： RU 57025 “具有組裝晶體光電導(dǎo)體的大孔徑高分辨率光學(xué)尋址空間光調(diào)制器"，RU 81814 “組合光學(xué)尋址空間光調(diào)制器"和 RU 72083。

此外，Sillenites公司 還提供光學(xué)等級的無摻雜 Czochralski 法生長的Bi12SiO20和 Bi12GeO20晶體。Sillenites光折變晶體具有高度的光學(xué)均勻性，不包括晶體束的中央核心，沒有可見的條紋與陰影、包裹體和氣泡。BSO晶體和BGO晶體的光電導(dǎo)特性和它們的電光特性的強(qiáng)光譜依賴性使得開發(fā)各種設(shè)備成為可能，包括空間光調(diào)制器、電光傳感器、全息記錄設(shè)備、相位共軛、光折變非相干到相干光轉(zhuǎn)換器、普克爾讀出光存儲器(PROM)、薄膜光波導(dǎo)、光折射。

Sillenite 光折變晶體塊和晶體板

應(yīng)用：

光折變應(yīng)用（TWM、FWM）、全息術(shù)。

具有兩個(gè)ITO電極的BSO晶體

應(yīng)用：

兩側(cè)鍍電極的BSO晶體可以用于光學(xué)電壓和電場傳感器。

BGO晶體

應(yīng)用：

光學(xué)電流和磁場傳感器，OCS。

激光級拋光 BSO和BGO晶體板

應(yīng)用：

OASLM、PROM、PRIZ 空間光調(diào)制器；

液晶LCLV、OALV光學(xué)光閥；

光控變形鏡 ；

X 射線成像；

薄 BSO 和 BGO 激光級拋光晶體板并粘合在支撐玻璃基板上

應(yīng)用：

光學(xué)處理的LCLV（LC OALV）作為薄型光電導(dǎo)體；

用電光波克爾效應(yīng)進(jìn)行表面放電測量；

帶有薄型光折光晶體的PROM、PRIZ調(diào)制器。

俄羅斯Sillenites公司的BSO和BGO晶體