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當前位置:深圳維爾克斯光電有限公司>>光學鏡片及配件>>探測器>> DAPD-TO8熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號DAPD-TO8
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地深圳市
更新時間:2024-08-15 16:41:54瀏覽次數(shù):131次
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950-1650nm,2000個光子的靈敏動態(tài),配備熱電冷卻器的NIR InGaAs光子探測器
Amplification NIRDAPD TEC近紅外探測器是一款近紅外離散放大光子探測器,波長覆蓋950nm至1650nm的近紅外波段。Amplification熱電制冷近紅外探測器DAPD TO8專為寬帶模擬檢測低光信號而設計,近紅外銦鎵砷探測器對NIR模擬檢測器而言具有的信號脈沖靈敏度。NIR InGaAs光子探測器的靈敏度涵蓋了從單個光子到每脈沖約2000個光子的寬動態(tài)范圍,并且其輸出信號與檢測到的光子數(shù)成正比。熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm
Amplification近紅外光子探測器采用了離散放大(DA)方法,該方法由Amplification Technologies公司開發(fā)并獲得利。Amplification近紅外離散放大光子探測器可以實現(xiàn)高品質(zhì)的內(nèi)部放大,具有高增益(>105)、快速響應(<0.4ns上升時間)和極低的過噪聲因子(<1.05)。該近紅外銦鎵砷光子探測器采用TO-8封裝,并配備三階段熱電冷卻器。與DEM2系列評估模塊結(jié)合使用時,當環(huán)境溫度為25°C時,NIRDAPD TEC可以冷卻到-50°C。
Amplification近紅外TEC探測器DAPD-TO8有兩種不同的有效面積尺寸可供選擇:80µm和200µm。
Amplification近紅外探測器的主要特點:
-近紅外光譜響應從950到1650 nm
-快速響應:上升時間< 0.4ns
-高增益:在最大PDE下,G=~100k
-低噪聲因子:F<1.05
- TEC冷卻到-50oC
這表明熱電冷卻InGaAs探測器可以通過熱電制冷(TEC)技術(shù)冷卻到極低的溫度。在低溫下,Amplification近紅外離散放大光子探測器的性能可能會得到提高,因為熱噪聲會減少。Amplification近紅外探測器DAPD TO8的輸出信號相對于噪聲是非常干凈的,可以提高檢測的準確性。
Amplification近紅外銦鎵砷探測器的主要應用:
-激光雷達3D成像
-激光雷達和環(huán)境監(jiān)測
-光譜學和儀器
-量子通信
NIRDAPD TEC近紅外探測器的規(guī)格:(工作溫度為 -50°C 時)
熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm
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