低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)

采用多種多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)，并通過(guò)溶液共混法制備了透明的量子點(diǎn)/PVB復(fù)合材料。同時(shí)，通過(guò)紅外光譜(IR)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外光譜(UV)、熒光光譜(PL)等測(cè)試手段對(duì)POSS修飾的量子點(diǎn)以及復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和熒光性質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)的研究?！?/span>

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)的制備方法

將量的POSS-SH和4ml非極性有機(jī)溶劑加入到單口燒瓶中，置于搖床中振蕩，使POSS-SH*溶解。隨后，將4mlCdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)加入到上述溶液中，室溫下中速振蕩8h。反應(yīng)結(jié)束后避光保存。

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)原理

基于巰基與金屬之間的相互作用，用巰基化合物對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行表面修飾是一-種的方法。本章使用POSS-SH與CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)進(jìn)行配體交換，制備了QDs@POSS-SH，如圖2-2所示。

兩種不同發(fā)射波長(zhǎng)的CdSe/CdS/ZnS及其對(duì)應(yīng)QDs@POSS-SH在日光和紫外線照射下的宏觀狀態(tài)如圖2-3所示(未修飾和經(jīng)POSS-SH修飾的量子點(diǎn)的濃度相同)。在紫外光照射下，CdSe/CdS/ZnS及其對(duì)應(yīng)QDs@POSS-SH發(fā)射出某些波長(zhǎng)的光，分別為紅色和。這是因?yàn)榱孔狱c(diǎn)由于量子限域效應(yīng)而使電子和空穴在三個(gè)空間方向上的運(yùn)動(dòng)，受激后發(fā)出熒光。

兩種不同發(fā)射波長(zhǎng)的CdSe/CdS/ZnS和QDs@POSS-SH的熒光光譜如圖2-7所示。紅光量子點(diǎn)和黃光量子點(diǎn)的發(fā)射波長(zhǎng)分別為630nm和580nm，半高峰寬(FWHM)均為28nm。經(jīng)POSS-SH修飾后，量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度10%。

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

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Co摻雜水溶性PbS硫化鉛量子點(diǎn)

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廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來(lái)自小編axc,2022.04.12

以上文中提到的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體。