硅基?銅基5000um/1cm/石墨烯單晶
石墨烯單晶
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以上產(chǎn)品供應(yīng)；提供檢測圖譜
西安齊岳生物科技有限公司可以提供以下二維納米材料：石墨烯、石墨炔、拓?fù)潴w、過渡族金屬硫化物（TMDs）、過渡金屬碳化物和氮化物（MXenes）、六角氮化硼（h-BN）、磷烯、銻烯、鉍烯 黑磷水凝膠納米醫(yī)藥載體、鈣鈦礦二維材料、二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）、黑磷納米材料、MAX相陶瓷材料，C3N4納米片、Mxene、二維鍺烯量子點、酞菁納米片、卟啉納米片。
硅基?銅基5000um/1cm/石墨烯單晶
目前制備石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學(xué)氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。石墨烯的電、光、強(qiáng)度等眾多性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用，但大規(guī)模制備是制約其進(jìn)入實際應(yīng)用的瓶頸之一。齊岳生物在常見的銅襯底，以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法，成功制備出了100微米到幾個毫米級六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上，方便取用。該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量，將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場效應(yīng)晶體管，測量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100 cm2V-1s-1。
常見的銅基體上生長大尺寸單晶石墨烯及其薄膜的突破，為石墨烯基本物性的研究及其在納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。
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