CVD銅基單層氮化硼薄膜/硅基/石墨烯異質(zhì)結(jié)
西安齊岳生物供應(yīng)一系列的納米材料，供應(yīng)
CVD-WS2-WSe2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)
CVD-少層氮化硼B(yǎng)N薄膜
硅基單層氮化硼B(yǎng)N薄膜
CVD-多層氮化硼B(yǎng)N薄膜
CVD-PdS2薄膜（）
硅基氮化硼/石墨烯異質(zhì)結(jié)
銅基單層氮化硼薄膜
SiO2/Si襯底單層氮化硼薄膜
一步轉(zhuǎn)移法單層氮化硼薄膜
CVD-2H-MoTe2全覆蓋連續(xù)薄膜（）
CVD-WSe2 全覆蓋連續(xù)薄膜
CVD-WSe2 全覆蓋連續(xù)薄膜()
CVD銅基單層氮化硼薄膜/硅基/石墨烯異質(zhì)結(jié)
銅基單層六角氮化硼薄膜，六角氮化硼結(jié)構(gòu)是類石墨烯結(jié)構(gòu)，具有很高的研究價值，也可以用轉(zhuǎn)移石墨烯的方法轉(zhuǎn)移六角氮化硼材料。h-BN是一種直接帶隙為5.97ev的體。由于h-BN具有很強(qiáng)的共價sp2鍵，其面內(nèi)力學(xué)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率與石墨烯相近。h-BN比石墨烯具有更高的化學(xué)穩(wěn)定性；它在空氣中的穩(wěn)定性可達(dá)1000℃（相比之下，石墨烯的相應(yīng)溫度為600℃）。
在化學(xué)氣相沉積過程中，銅箔的兩側(cè)都會生長BN
規(guī)格：
接近*覆蓋（90-95%），有一些小洞
銅箔的厚度是20微米
高結(jié)晶質(zhì)量，見SAD（選定區(qū)域[電子]衍射）數(shù)據(jù)
透射電鏡質(zhì)量。TEM顯示出的六邊形結(jié)構(gòu)。
相關(guān)產(chǎn)品：
高阻本征硅基底WSe2 膜
鈦酸鍶SrTiO3基底WSe2
云母基底WSe2薄膜
FTO基底WSe2薄膜
ITO基底WSe2薄膜
玻璃基底WSe2
Si基底WSe2薄膜
柔性PET基底WSe2薄膜
光學(xué)石英基底WSe2薄膜
SiO2/Si基底WSe2
藍(lán)寶石基底WSe2薄膜
TEM銅網(wǎng)基底MoSe2 氧化層厚度300nm
GaAs基底MoSe2薄膜
銅膜基底MoSe2薄膜
銀膜基底MoSe2薄膜
金膜基底MoSe2薄膜
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