AgTaS3、Bi4Pb7Se13、In3SbTe2晶體 薄膜
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AgTaS3晶體
材料名稱 Name | AgTaS3 |
性質(zhì)分類 Electrical properties | 拓?fù)潴w Topological Insulators |
禁帶寬度 Bangap | 0 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure | monoclinic |
剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation | 易 Easy |
AgTaS3、Bi4Pb7Se13、In3SbTe2晶體 薄膜
產(chǎn)品列表:
CVD TMDC晶體: | >10平方毫米 | 拓?fù)洳牧?半導(dǎo)體,紅外材料 |
AgTaS3晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
Ag3Sb晶體 | >50平方毫米 | 半導(dǎo)體 |
Ag2Te晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
Bi4Pb7Se13晶體 | >10平方毫米 | 紅外材料 |
Cu2Se3晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
AgInP2S6晶體 | >50平方毫米 | 半導(dǎo)體 |
AgInP2Se6晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
Cr2S3晶體 | >25平方毫米 | 紅外材料 |
CrTe2晶體 | >10平方毫米 | 半導(dǎo)體 |
CuBi3PbS6晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
CuInP2Se6晶體 | >50平方毫米 | 紅外材料 |
CuInS2晶體 | >25平方毫米 | 半導(dǎo)體 |
GaGeTe晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
GaPS4晶體 | >10平方毫米 | 紅外材料 |
GeBi2Te4晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
GeBi4Te7晶體 | >25平方毫米 | 紅外材料 |
GeSb4Te7晶體 | >50平方毫米 | 半導(dǎo)體 |
GeTe晶體 | >10平方毫米 | 拓?fù)洳牧?/td> |
HfS3晶體 | >50平方毫米 | 紅外材料 |
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溫馨提示:用于科研哦?。▃hn2020.05.19)