Glass+FTO/Ga2O3-ß膜/氮化鎵GaN系列薄膜
西安齊岳生物供應(yīng)一系列的導(dǎo)電薄膜FTO膜
Glass+FTO薄膜
玻璃板上涂氟氧化錫（FTO）
鍺(GOI)薄膜
體上鍺(GOI)薄膜
薄Si過(guò)渡層制備體上Ge(GOI)材料
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜
GaAs/AIGaAs壓阻薄膜
GaN系列薄膜
氮化鎵GaN/藍(lán)寶石復(fù)合襯底上蒸鍍金屬鎳(Ni)薄膜
GaN 薄膜基片
GaN外延薄膜
Ga2O3-ß膜
AL2O3+Ga2O3-ß薄膜
Ga2O3-ß晶體
2英寸ß- Ga2O3單晶襯底
Ga2O3-Al膜
Si上鍍Ge薄膜0.5-2um
生長(zhǎng)Si—Ge薄膜10x10mm
Glass+FTO/Ga2O3-ß膜/氮化鎵GaN系列薄膜
產(chǎn)品名稱： | 氮化鎵(GaN)薄膜 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： | 氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。
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參數(shù)：
| 常規(guī)尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客戶需求定制堵塞方向和尺寸。 產(chǎn)品定位C軸<0001>±1° 傳導(dǎo)類型N型；半型；P型 電阻率R<0.05 Ohm-cm；半型R>106 Ohm-cm 位錯(cuò)密度<1x108 Cm-2 表面處理(鎵面)AS Grown 值<1nm 可用表面積>90% |
標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級(jí)凈室，100級(jí)凈袋或單片盒封裝 |
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溫馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.19）
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