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供貨周期	現(xiàn)貨	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè)

LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物薄膜尺寸

西安齊岳生物供應(yīng)一系列的導(dǎo)電薄膜產(chǎn)品列表：

LaAlO3+SrTiO3薄膜
LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物薄膜
SrTiO3/LaAlO3/SrTiO3(001)異質(zhì)結(jié)
SrTiO3(001)襯底上外延制備10晶胞層厚度的LaAlO3薄膜
Al2O3+YBCO薄膜10x10x0.5 mm
Al2O3+YBCO薄膜10x5x0.5 mm
Al2O3+YBCO薄膜3" dia.x0.5 mm
Al2O3/YBCO功能外延薄膜
YBCO/CeO2/Al2O3雙面導(dǎo)外延薄膜
YIG單晶外延薄膜GGG襯底
釔鐵石榴石YIG外延薄膜GGG襯底
釔鐵石榴石（Yttrium Iron Garnet）在GGG襯底外延薄膜
Al2O3+ZnO薄膜
Al2O3/ZnO薄膜
CVD生長ZnO/GaN/Al2O3薄膜
Al2O3襯底上外延生長ZnO薄膜

4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型
4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型（4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)
p型4H-SiC單晶
4H-SiC同質(zhì)外延薄膜
4H-SiC材料p型摻雜材料
SiC 3C薄膜
PECVD生長3C結(jié)構(gòu)SiC外延薄膜
3C-SiC（100）薄膜
Si+SiO2薄膜
Si/SiO2薄膜
Si襯底SiO2薄膜
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
常規(guī)厚度300nmSiO2

LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物薄膜尺寸

產(chǎn)品描述：

采用脈沖激光沉積(PLD),在TiO_2終止面的SrTiO_3(001)和斜切20°的SrTiO_3(001)基底上外延生長了鈣鈦礦氧化物L(fēng)aAlO_3/SrTiO_3界面,研究了不同光波段下界面的光電性質(zhì),同時(shí)探究了電場、光場和磁場等外場對(duì)界面材料物理性質(zhì)的影響,取得了以下結(jié)果:1、外延生長了不同厚度的LaAlO_3/SrTiO_3異質(zhì)結(jié)界面樣品,觀察到了導(dǎo)電型LaAlO_3/SrTiO_3界面電阻的溫度變化性質(zhì),利用后續(xù)氧退火工藝實(shí)現(xiàn)了界面樣品由金屬性導(dǎo)電向性質(zhì)的轉(zhuǎn)變,證明了界面材料的導(dǎo)電性主要來源于基底SrTiO_3(001)中的氧空位。進(jìn)一步研究表明在溫度170K以下氧空位不能產(chǎn)生界面中的磁性,而基底SrTiO_3中Ti3d(t2g)態(tài)的自旋極化對(duì)界面的鐵磁性質(zhì)起到了決定性作用。2、外延生長了不同厚度導(dǎo)電型LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品,觀察到了界面的太陽光光電導(dǎo)開關(guān)性質(zhì),得到了不同光功率下界面樣品的光電導(dǎo)變化趨勢(shì),證明了界面的光電導(dǎo)性質(zhì)是由光激發(fā)產(chǎn)生的。3、外延生長了10個(gè)原胞層厚度的LaAlO_3/SrTiO_3傾角界面樣品,觀察到了傾角LaAlO_3/SrTiO_3界面的深紫外瞬態(tài)光生伏*應(yīng),證明了界面中的光伏效應(yīng)主要來源于光激發(fā)和傾角結(jié)構(gòu),但氧空位和缺陷對(duì)界面的光伏效應(yīng)具有重要影響。進(jìn)一步研究表明光電壓峰值隨著位置的移動(dòng)存在變化,大相對(duì)變化率245%。4、外延生長7個(gè)原胞層厚度的LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品,觀察到了導(dǎo)電型LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品具有紅外光譜響應(yīng)度,在低溫110 K下可利用磁場其中紅外光譜響應(yīng)度并出現(xiàn)飽和。闡明了界面中存在的自旋軌道耦合效應(yīng)是界面中紅外光譜響應(yīng)的主要來源。通過進(jìn)一步研究表明,光譜響應(yīng)度轉(zhuǎn)變現(xiàn)象與SrTiO_3基片的結(jié)構(gòu)相變有關(guān)。同時(shí),利用二維紅外相關(guān)光譜分析法發(fā)現(xiàn)了界面中還存在其他次能級(jí)結(jié)構(gòu),證明了低溫下界面中的自旋軌道耦合效應(yīng)對(duì)界面中紅外光譜響應(yīng)起到了決定性的作用。5、外延生長了不同厚度的LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品,發(fā)現(xiàn)了導(dǎo)電型LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品對(duì)太赫茲波具有強(qiáng)反射現(xiàn)象,同時(shí)界面中極化強(qiáng)度的變化可被太赫茲波分辨。進(jìn)一步研究表明太赫茲波可以檢測(cè)極化強(qiáng)度有變化的樣品,實(shí)現(xiàn)了太赫茲波在納米尺度上的分辨。