La2Zr2O7外延薄膜|YBCO導(dǎo)薄膜+Au的定制
西安齊岳生物科技有限公司提供或者國產(chǎn)的薄膜、單晶、多晶體薄膜,尺寸可定制;基底的薄膜;高;有關(guān)資料歡迎咨詢。同時(shí)提供二維材料;石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質(zhì)結(jié)、薄膜(藍(lán)寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底等基底)等材料。
La2Zr2O7外延薄膜|YBCO導(dǎo)薄膜+Au的定制
利用化學(xué)溶液沉積(CSD)法在雙軸織構(gòu)的Ni W基帶上制備了燒綠石結(jié)構(gòu)的La2Zr2O7(LZO)氧化物薄膜,并研究了熱處理過程中升溫路線對(duì)其外延生長行為的影響.利用X射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對(duì)不同熱處理路線下所制得的LZO薄膜的織構(gòu)和表面形貌進(jìn)行了表征.結(jié)果表明:升溫速率對(duì)LZO薄膜的織構(gòu)度以及表面形貌影響較大.可以認(rèn)為通過選擇合適的熱處理路線,利用CSD法可以制得具有銳利織構(gòu)度、表面平整且無缺陷的LZO薄膜,同時(shí),在熱處理?xiàng)l件下制得的LZO薄膜適合用作涂層導(dǎo)體緩沖層.
AIN薄膜 | 200nm ±10%, 單面鍍膜 |
Al2O3+ZnO薄膜 | 注:可以按照客戶要求加工 |
Al2O3+Si薄膜(SOS) | 10x10x0.5mm |
AL2O3+GaN薄膜(P型;N型摻Si;N型不摻雜) | |
BiFeO3薄膜 | 注:可以按照客戶要求加工 |
Ba1-xSrxTiO3介電薄膜 | 10x10 x 0.5 mm |
CeO2薄膜 | 40 nm +/- 10 nm |
金剛石薄膜DOI | 定制 |
金剛石薄膜DOS | |
Ga2O3-ß薄膜 | |
GGG+YIG薄膜 | 10x10x0.5mm |
塑料上ITO膜;PEN塑料上鍍ITO膜 | |
InP上鍍InP/InGaAs/InP薄膜 | |
聚酰亞胺膜(HN Kapton);鍍特氟龍聚酰亞胺膜 | |
康寧7980上鍍Si3N4 | 10x10x0.5mm |
LaNiO3薄膜 | 10x10x0.5mm |
La1-xSrxMnO3薄膜 | |
La2Zr2O7外延薄膜 | 20-150nm;注:尺寸可以按照客戶要求加工 |
鈉鈣玻璃+Au薄膜 | |
SrTiO3薄膜 | 10x10x0.5mm |
Si+GaN薄膜 | |
Si+AlN+GaN薄膜 | |
Si+SiO2薄膜(料) | 注:可以按照客戶要求加工 |
Si+SiO2+Si(SOI)薄膜 | |
Si+SiO2+Pt薄膜(料) | |
Si+SiO2+TiO2+Pt <111> (料) | |
Si+SiO2+Ti+Pt <111>(國產(chǎn)) | 注:可以按照客戶要求加工 |
Si+SiO2+Ti+Pt <111>() | 注:可以按照客戶要求加工 |
Si+Si3N4薄膜 | |
Si+SiO2+Si3N4薄膜 | |
Si+Al薄膜 | 10x10x0.5mm |
Si+Ni薄膜 | |
Si+SiO2+Ni薄膜 | |
Si+Cu薄膜 | 注:可以按照客戶要求加工 |
Si+Ta+Cu薄膜 | |
Si+SiO2+Ta+Cu薄膜 | |
Si+SiO2+Ti+Au薄膜 | |
SiC-3C薄膜(Si+SiC) | 注:可以按照客戶要求加工 |
SiC外延薄膜 P型 (4H-SiC+4H-SiC) | |
Si+Ge薄膜 | |
YBCO薄膜(襯底:MgO) | 10x10x0.5mm |
YBCO薄膜(襯底:LaAlO3) | 10x10x0.5mm |
YBCO導(dǎo)薄膜+Au | 10x10x0.5mm |
石墨烯薄膜 | 注:可以按照客戶要求加工 |
摻雜ZnO薄膜 |
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