LaFeO3鐵酸鑭納米晶薄膜與LaNiO3導電薄膜

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LaFeO3鐵酸鑭納米晶薄膜與LaNiO3導電薄膜

以硝酸鑭和硝酸鐵等無機鹽為原料,檸檬酸為絡合劑,乙二醇為交聯(lián)劑,通過NH_3·H_2O調(diào)節(jié)pH值,在80℃水浴加熱條件下獲得均勻穩(wěn)定的LaFeO_3前驅(qū)體溶膠。采用提拉涂覆溶膠-凝膠法,在多晶氧化鋁基片表面形成凝膠膜,800℃下經(jīng)熱處理,凝膠膜轉(zhuǎn)化為鈣鈦礦型稀土復合氧化物LaFeO_3陶瓷薄膜。重復鍍膜和熱處理及聲清洗過程十個周期,后在800℃下燒結,1h,得到顆徑為100nm左右、厚度大約2μm的多孔納米薄膜。

產(chǎn)品列表：

Ga2O3-ß晶體
2英寸ß- Ga2O3單晶襯底
Ga2O3-Al膜
Si上鍍Ge薄膜0.5-2um
生長Si—Ge薄膜10x10mm
Si基改性Ge薄膜
硅基底石墨烯膜1cm*1cm
硅基底石墨烯膜5cm*5cm
雙層石墨烯膜2cm*2cm
康寧7980玻璃上鍍ITO膜10x10x0.7mm
康寧7980上鍍ito膜(ito film on corning 7980)
InP上鍍InAlAs薄膜  摻Fe半型材料 300nm
在InP襯底上生長InAlAs/InGaAs等異質(zhì)結構
InP襯底上InAlAs薄膜
InP襯底上生長InAlAs薄膜
InAlAs-InGaAs-InP
InP上鍍InGaAs薄膜 半型材料
GaAs InGaP薄膜
GaAs襯底InGaP薄膜
金屬襯底InGaP/GaAs雙結薄膜
InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜
InGaP/GaAs微結構材料
GaAs襯底成功制備了InGaP外延薄膜
InGaP/GaAs異質(zhì)結
ITO+ZnO鈉鈣玻璃
ITO/ZnO復合材料
納米ZnO/ITO導電玻璃復合材料
ITO= 100nm，ZnO= 50nm
ITO導電玻璃襯底上沉積出透明致密ZnO薄膜
La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3復合材料
La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3復合材料
SrMoO4薄膜
SrMoO4薄膜（400nm）光致發(fā)光薄膜
SiO2+Pt 薄膜
SiO2∶Pt薄膜
二氧化硅/鉑復合薄膜SiO2/Pt
二氧化硅負載鉑復合薄膜催化材料
Si+SiO2+Ti+Pt薄膜
Pt/Ti/SiO2/Si基片鍍PZT膜
Pt/Ti/SiO2/Si襯底的寬波段薄膜
Pt/Ti/Si3N4/SiO2/Si基底的多層薄膜
鈣鈦礦型稀土復合氧化物LaFeO3膜
鈣鈦礦型鐵酸鑭LaFeO3薄膜
Ni襯底上的LaFeO3薄膜
LaFeO3納米晶薄膜
LaNiO3導電薄膜
Si基底LaNiO3導電薄膜10x10x0.5mm
Si基LaNiO3導電薄膜 Si/LaNiO3
Si(111)襯底上沉積LaNiO3薄膜

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