TiO2NRAs/ZrO2/C鈣鈦礦材料/(Ag-TiO2)
TiO2NRAs/ZrO2/C鈣鈦礦材料/(Ag-TiO2)
產(chǎn)品：
摻雜LaMnO3鈣鈦礦型光催化材料
Ru改性(類)鈣鈦礦型金屬氧化物
磁性鈣鈦礦型氧化物
摻雜鐵的鈣鈦礦錳氧化物
鈣鈦礦型氧化物La1-xMxNiO3
鈣鈦礦復(fù)合氧化物鎳酸鑭光催化
堿土金屬鈣鈦礦型復(fù)合氧化物
TiO2NRAs/ZrO2/C結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備及光電性能研究
摘要：因具有合適的禁帶寬度、的吸光性能、簡(jiǎn)單的合成工藝以及豐富的原材料等眾多優(yōu)點(diǎn)，以鈣鈦礦 (CH3NH3PbI3) 為光吸收材料的太陽(yáng)能電池近幾年被研究。無(wú)空穴傳輸層全印刷介觀結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池?fù)碛泻?jiǎn)單的TiO2/ZrO2/C三層膜結(jié)構(gòu)，具有成本低、工藝簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。目前，其存在的問(wèn)題是光電轉(zhuǎn)化效率無(wú)法與介孔結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池相媲美；電子傳輸層作為器件結(jié)構(gòu)的重要組成部分，對(duì)其性能有較大的影響。一維TiO2納米棒 (TiO2NRAs) 可以提供直接的電子傳輸路徑，開孔有序的結(jié)構(gòu)有利于鈣鈦礦晶體的填充與生長(zhǎng)。采用TiO2納米棒作為電子傳輸層，制備了TiO2NRAs/ZrO2/C結(jié)構(gòu)的介觀鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，并進(jìn)行了工藝優(yōu)化與光電性能表征。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下： (1) TiO2NRAs/ZrO2/C結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備。采用水熱法制備了金紅石型TiO2NRAs，通過(guò)控制水熱時(shí)間調(diào)控TiO2NRAs薄膜厚度，研究了不同厚度的TiO2NRAs薄膜對(duì)器件光電性能的影響。結(jié)果表明，隨著TiO2NRAs薄膜厚度的增加，電流密度、填充因子、光電轉(zhuǎn)化效率呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì)；且當(dāng)TiO2NRAs薄膜厚度為1μm時(shí)，器件的效率相對(duì)較高，為3.4%?！ ?2)高濕度下 (RH≈50%) TiO2NRAs/ZrO2/C結(jié)構(gòu)中鈣鈦礦晶體的溶劑退火生長(zhǎng)。分別采用了溶劑退火工藝和普通退火工藝在TiO2NRAs/ZrO2/C結(jié)構(gòu)中生長(zhǎng)鈣鈦礦晶體，對(duì)比了兩種工藝對(duì)器件性能的影響。
結(jié)果表明，采用普通退火工藝，鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生PbI2和中間相，并且不均勻地填充在TiO2NRAs中；采用溶劑退火工藝，可以生成無(wú)雜相、的鈣鈦礦晶體，降低了器件內(nèi)部電子空穴復(fù)合率，將光電轉(zhuǎn)化效率到6.2%?！ ?3) TiO2NRAs的Cl-調(diào)控生長(zhǎng)和器件的界面動(dòng)力學(xué)研究。通過(guò)調(diào)節(jié)水熱前驅(qū)體溶液中的Cl-濃度調(diào)控TiO2納米棒的孔隙率，研究了不同Cl-濃度對(duì)器件性能的影響。結(jié)果表明，Cl-可以TiO2納米棒的橫向生長(zhǎng)，并且隨著Cl-濃度的增加，TiO2NRAs的孔隙率逐漸增大，器件的效率則呈先增加后降低的趨勢(shì)，率為 9.13%。使用開路電壓衰減測(cè)試和電化學(xué)阻抗譜分析了TiO2NRAs/ZrO2/C器件的界面動(dòng)力學(xué)過(guò)程，表明較優(yōu)器件的TiO2NRAs/FTO界面電荷傳輸電阻較小，而TiO2NRAs/CH3NH3PbI3界面復(fù)合電阻較大。
產(chǎn)品供應(yīng)列表：
| 稀土Ho3+/Yb3+共摻SrBi4Ti4O15陶瓷 |
| Pr/Nb共摻Bi4Ti3O(12)鉍層狀陶瓷 |
| 氧化物基上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料 |
| 共摻氧化鋯及其復(fù)合氧化物上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料 |
| BNKTx薄膜 鈦酸鉍鈉鉀無(wú)鉛鐵電薄膜 |
| 鈣鈦礦鈮酸鉀納米材料(KNbO3) |
| 鈣鈦礦MAPbI3納米片 |
| 低維鎢酸鉍基異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米材料 |
| 鉍鉭基納米片 |
| 全無(wú)機(jī)鉛鹵鈣鈦礦CsPbX3晶體 |
| 銫鉛鹵(CsPbX_3)鈣鈦礦量子點(diǎn) |
| 銦錫氧化物鈣鈦礦納米晶體(ITONPs) |
| 黑色立方相CsPbBr3鈣鈦礦薄膜 |
| CsPbBr3單晶鈣鈦礦納米材料 |
| 石墨烯鈣鈦礦量子點(diǎn)復(fù)合材料 |
| Ag修飾石墨烯基鈣鈦礦材料 |
| 鈣鈦礦量子點(diǎn)與分子篩復(fù)合材料 |
| MPbX3(M=CH3NH3,Cs;X=Cl,Br,I) |
| CH3NH3PbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn) |
| CH3NH3PbCl3鈣鈦礦量子點(diǎn) |
| CH3NH3PbI3鈣鈦礦量子點(diǎn) |
| CdTe/MCM-41納米復(fù)合材料 |
| 負(fù)載型SrTiO3/HZSM-5光催化材料 |
| BiFeO3納米顆粒 |
| BaTiO3鈣鈦礦納米材料 |
| PbTiO3鈣鈦礦納米材料 |
| 二維層狀鈣鈦礦型鐵電材料 |
| BaTiO3單晶納米線 |
| 鈣鈦礦層狀化合物SrO(SrTiO3) |
| 鈣鈦礦型氧化物SrTiO3/BaTiO3多層膜 |
| CH3NH3PbI3(MAPbI3)鈣鈦礦 |
| 硫氰酸鹽在甲脒鈣鈦礦薄膜 |
| 鈣鈦礦氧化物L(fēng)aAlO3/SrTiO3 |
| 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)PbTiO3納米材料 |
| 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)BaCrO3納米材料 |
| 鈦酸鍶(SrTiO3)鈣鈦礦納米材料 |
| 二氧化錫基鈣鈦礦二維納米材料 |
| 鹵素鈣鈦礦CsPbBr3單晶薄膜 |
| 有機(jī)無(wú)機(jī)鹵素鈣鈦礦MAPbX3 |
| Sn-Pb二元鈣鈦礦材料 |
| 碘化鉛甲銨MAPbI3鈣鈦礦二維材料 |
| 多巴胺交聯(lián)二氧化鈦/鈣鈦礦薄膜 |
| 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池空穴傳輸材料 |
| 鈣鈦礦/黑磷低維復(fù)合納米材料 |
| 鈣鈦礦材料FAPbI3薄膜 |
| 鈣鈦礦氧化物SrTiO3（STO） |
| BiFeO3（BFO）鈣鈦礦薄膜 |
1.關(guān)于顏色
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