二維CoSe/NF異質結構復合材料 可定制
摘要：基于密度泛函理論方法,系統(tǒng)研究了二維ZnO/InSe異質結的電子結構和光催化性能.計算結果表明,二維ZnO/InSe異質結的晶格失配率為3.3%,形成能為-2.43eV,表明異質結的結構穩(wěn)定.異質結表現(xiàn)為Ⅱ型能帶對齊,價帶和導帶的帶偏置分別為0.51和1.34eV,能夠降低電子和空穴的復合率,ZnO/InSe異質結的光催化性能.二維ZnO/InSe異質結是帶隙值為2.23eV的直接帶隙半導體材料,對應有的可見光吸收范圍,且光吸收系數(shù)105 cm-1,能夠進一步光吸收效率.此外,異質結的帶邊位置分別跨過水的氧化還原電位,可用于光解水制備氫氣.因此,二維ZnO/InSe異質結是一種有前景的可見光光催化材料.
二維CoSe/NF異質結構復合材料 可定制
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zl 04.20
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