巴魯夫BALLUFF位移傳感器線繞電位器的電阻體由電阻絲纏繞在絕緣物上構(gòu)成，電阻絲的種類很多，電阻絲的材料是根據(jù)電位器的結(jié)構(gòu)、容納電阻絲的空間、電阻值和溫度系數(shù)來選擇的。電阻絲越細(xì)，在給定空間內(nèi)越獲得較大的電阻值和分辨率。但電阻絲太細(xì)，在使用過程中容易斷開，影響傳感器的壽命。金屬膜電位器具有無限的分辨率，接觸電阻很小，耐熱性好，巴魯夫BALLUFF位移傳感器的滿負(fù)荷溫度可達(dá)70℃。與線繞電位器相比

BALLUFF位移傳感器*
巴魯夫BALLUFF位移傳感器線繞電位器的電阻體由電阻絲纏繞在絕緣物上構(gòu)成，電阻絲的種類很多，電阻絲的材料是根據(jù)電位器的結(jié)構(gòu)、容納電阻絲的空間、電阻值和溫度系數(shù)來選擇的。電阻絲越細(xì)，在給定空間內(nèi)越獲得較大的電阻值和分辨率。但電阻絲太細(xì)，在使用過程中容易斷開，影響傳感器的壽命。金屬膜電位器具有無限的分辨率，接觸電阻很小，耐熱性好，巴魯夫BALLUFF位移傳感器的滿負(fù)荷溫度可達(dá)70℃。與線繞電位器相比，它的分布電容和分布電感很小，所以特別適合在高頻條件下使用。它的噪聲信號(hào)僅高于線繞電位器。金屬膜電位器的缺點(diǎn)是耐磨性較差，阻值范圍窄，巴魯夫BALLUFF位移傳感器一般在10—100kΩ之間。由于這些缺點(diǎn)限制了它的使用。
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巴魯夫BALLUFF位移傳感器光電電位器的制作過程是先在基體上沉積一層硫化鎘或硒化鎘的光電導(dǎo)層，然后在光電導(dǎo)層上再沉積一條電阻體和一條導(dǎo)電電極。在電阻體和導(dǎo)電電極之間留有一個(gè)窄的間隙。平時(shí)無光照時(shí)，電阻體和導(dǎo)電電極之間由于光電導(dǎo)層電阻很大而呈現(xiàn)絕緣狀態(tài)。當(dāng)光束照射在電阻體和導(dǎo)電電極的間隙上時(shí)，巴魯夫BALLUFF位移傳感器由于光電導(dǎo)層被照射部位的亮電阻很小，使電阻體被照射部位和導(dǎo)電電極導(dǎo)通，于是光電電位器的輸出端就有電壓輸出，輸出電壓的大小與光束位移照射到的位置有關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)了將光束位移轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)輸出。
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由于巴魯夫BALLUFF位移傳感器的輸出阻抗較高，需要配接高輸入阻抗的放大器。盡管光電電位器有著不少的缺點(diǎn)，但由于它的優(yōu)點(diǎn)是其它電位器所無法比擬的，因此在許多重要場合仍得到應(yīng)用。當(dāng)動(dòng)極板繞軸轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)α角時(shí)，兩極板的對應(yīng)面積要減小⊿A，則傳感器的電容量就要減小⊿C。如果我們把這種電容量的變化通過諧振電路或其它回路方法檢測出來，巴魯夫BALLUFF位移傳感器就實(shí)現(xiàn)了角位移轉(zhuǎn)換為電量的電測變換。特點(diǎn)是：平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長、動(dòng)噪聲小、可靠性*、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、飛機(jī)雷達(dá)天線的伺服系統(tǒng)等。位移傳感器:是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體，巴魯夫BALLUFF位移傳感器并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點(diǎn)是接觸電?阻小，精度高，溫度系數(shù)小，其缺點(diǎn)是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點(diǎn)等。