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Contraves HB731S0 編碼器

Q:283-817-7655

Rockwell 817-E1

Rockwell 817-E2

Rockwell 825-MCM180

Rockwell 825-MCM20

Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT

Rockwell 193-NCIO-22A-CNT

Rockwell 193-NCIO-22D-CNT

Rockwell 193-NCIO-43-CNT

Rockwell 193-NCIO-63-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT

Rockwell 825-CBCT

Rockwell 809S-C1-10A-230

Rockwell 809S-C1-10A-48

Rockwell 813S-V1-500V-230

Rockwell 813S-V1-500V-48

Rockwell 813S-V3-110V

Rockwell 813S-V3-230V

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Rockwell 813S-V3-480V

Rockwell 813S-V3-690V

Rockwell 814S-PF3-480V-10A

Rockwell 814S-PF3-690V-10A

Rockwell 814S-W3-480V-10A

Rockwell 817S-PTC-115

Rockwell 817S-PTC-230

Rockwell 817S-PTC-48

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雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。

這種晶體管的工作，同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場效應管的單極性晶體管不同，后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結形成。

雙極性晶體管能夠放大信號，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用來構成放大器電路，或驅動揚聲器、電動機等設備，并被廣泛地應用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機器人等應用產品中。

雙極性晶體管是電子學歷*具有革命意義的一項發(fā)明，其*威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學獎。 [1]

雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。以NPN晶體管為例，按照設計，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子，通過擴散作用運動到基極。在基極區(qū)域，空穴為多數載流子，電子是少數載流子。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過漂移運動到達集電極，從而形成集電極電流，因此雙極性晶體管被歸到少數載流子設備。

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