當(dāng)前位置:上海薩帛機(jī)電控制系統(tǒng)有限公司> 供求商機(jī)> SK 41-32 安全繼電器-ASO SK 41-32 安全繼電器
Q:283-817-7655
Rockwell 817-E1
Rockwell 817-E2
Rockwell 825-MCM180
Rockwell 825-MCM20
Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT
Rockwell 193-NCIO-22A-CNT
Rockwell 193-NCIO-22D-CNT
Rockwell 193-NCIO-43-CNT
Rockwell 193-NCIO-63-CNT
Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT
Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT
Rockwell 825-CBCT
Rockwell 809S-C1-10A-230
Rockwell 809S-C1-10A-48
Rockwell 813S-V1-500V-230
Rockwell 813S-V1-500V-48
Rockwell 813S-V3-110V
Rockwell 813S-V3-230V
Rockwell 813S-V3-400V
Rockwell 813S-V3-480V
Rockwell 813S-V3-690V
Rockwell 814S-PF3-480V-10A
Rockwell 814S-PF3-690V-10A
Rockwell 814S-W3-480V-10A
Rockwell 817S-PTC-115
Rockwell 817S-PTC-230
Rockwell 817S-PTC-48
ASO SK 41-32 安全繼電器
ASO SK 41-32 安全繼電器
隨著人們對于能源問題的認(rèn)識不斷加深,場效應(yīng)管(如CMOS)技術(shù)憑借更低的功耗,
在數(shù)字集成電路中逐漸成為主流,雙極性晶體管在集成電路中的使用由此逐漸變少。但是應(yīng)當(dāng)看到,即使在現(xiàn)代的集成電路中,雙極性晶體管依然是一種重要的器件,市場上仍有大量種類齊全、價(jià)格低廉的晶體管產(chǎn)品可供選擇。與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET,它是場效應(yīng)管的一種,另一種為結(jié)型場效應(yīng)管)相比,雙極性晶體管能提供較高的跨導(dǎo)和輸出電阻,并具有高速、耐久的特性,在功率控制方面能力突出。因此,雙極性晶體管依舊是組成模擬電路,尤其是甚高頻應(yīng)用電路(如無線通信系統(tǒng)中的射頻電路)的重要配件。雙極性晶體管可以通過BiCMOS技術(shù)與和MOSFET制作在一塊集成電路上,這樣就可以充分利用兩者的優(yōu)點(diǎn)(如雙極性晶體管的電流放大能力和場效應(yīng)管的低功耗特點(diǎn))
從基極區(qū)域的少數(shù)載流子濃度出發(fā),可以解釋集電極的載流子流動(dòng)。如果雙極性晶體管為小注入,即通過某些物理過程(如光注入或電注入)引入的非平衡載流子(excess carrier,或稱“過剩載流子”)比熱平衡時(shí)的多數(shù)載流子少得多,雙極性擴(kuò)散(即非平衡多數(shù)載流子和少數(shù)載流子以相同速率流動(dòng))速率實(shí)際上由非平衡少數(shù)載流子決定。另外,雙極性晶體管處理高頻信號的能力還受限于基極區(qū)域載流子的渡越時(shí)間。
結(jié)構(gòu)編輯
一個(gè)雙極性晶體管由三個(gè)不同的摻雜半導(dǎo)體區(qū)域組成,它們分別是發(fā)射極區(qū)域、基極區(qū)域和集電極區(qū)域。這些區(qū)域在NPN型晶體管中分別是N型、P型和N型半導(dǎo)體,而在PNP型晶體管中則分別是P型、N型和P型半導(dǎo)體。每一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域都有一個(gè)引腳端接出,通常用字母E、B和C來表示發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector)。
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