當(dāng)前位置:上海薩帛機(jī)電控制系統(tǒng)有限公司> 供求商機(jī)> W-AG15 C3 SH 5e U-SCAIME W-AG15 C3 SH 5e U 好價(jià)銷售
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SCAIME W-AG15 C3 SH 5e U
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SCAIME W-AG15 C3 SH 5e U 好價(jià)銷售
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據(jù)存儲器,外部串行存儲器件是選擇。大多數(shù)情況下,這個(gè)額外的外部數(shù)據(jù)存儲器是非易失性的。
根據(jù)不同的設(shè)計(jì),引導(dǎo)存儲器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器沒有內(nèi)部存儲器,并行的非易失性存儲器件對大多數(shù)應(yīng)用系統(tǒng)而言是正確的選擇。但對一些高速應(yīng)用,可以使用外部的非易失性串行存儲器件來引導(dǎo)微控制器,并允許主代碼存儲在內(nèi)部或外部高速SRAM中。
8.EEPROM與閃存
存儲器技術(shù)的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊,如今有一些類型的存儲器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進(jìn)行讀寫,并像ROM一樣在斷電時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù),它們都可電擦除且可編程,但各自有它們優(yōu)缺點(diǎn)。
從軟件角度看,獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類似的,兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改,而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區(qū)進(jìn)行編程。對閃存的重新編程還需要使用SRAM,因此它要求更長的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作,從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用。
存儲器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個(gè)因素。市場上可用的獨(dú)立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下,獨(dú)立閃存器件的容量在32KB或以上。
如果把多個(gè)器件級聯(lián)在一起,可以用串行EEPROM實(shí)現(xiàn)高于128KB的容量。很高的擦
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