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2003 BT型電荷敏感場效應晶體管輸入前置放大器是為優(yōu)化性能而設計的，采用硅探測器，如鈍化注入的平面硅。皮爾斯®）探測器和遺留硅表面勢壘（SSB）探測器。
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
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低噪聲設計:在0 PF下小于2.0 keV(Si) 高能量速率能力:多可達2x106MEV每秒 FET輸入,二極管保護 獨立能量和快速定時輸出 在0 pf時,快速上升時間小于3 ns 小尺寸 能夠在真空室工作的
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