原裝BEHLKE HTS 800-100高壓開關(guān)

Behlke 產(chǎn)品組C4 - 溝槽FET，可變導通時間，高電流，低電阻

1）HTS 71-13-BC，緊湊型系列。新的TRENCH FET技術(shù)，具有低導通電阻。7.8 kVDC，130 A pk，<1 Ohm，tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2）HTS 61-23-B，新的溝槽FET，具有低導通電阻和高峰值電流。帶可選銅散熱片（選件CF）。6.5 kVDC，230 A pk，Ron <0.4 Ohm，tr <15ns  

3）HTS 231-52-B，新的Trench FET技術(shù)，具有低導通電阻和高峰值電流。23 kV，520 A，<0.7 Ohm，tr <20 ns。使用選件CF-X2（散熱片X2）和C-DR（驅(qū)動器散熱）   
  

 HTS 31-GSM推挽式開關(guān)由兩部分組成交替控制的固態(tài)開關(guān)轉(zhuǎn)向由大量MOSFET組成平行并且串聯(lián)。 HTS 31-GSM擁有全部*的HTS系列的優(yōu)點開關(guān)，例如控制簡單，電流高隔離，精確切換特性，高可靠性，長壽命和小尺寸。 push-pul這里描述的開關(guān)可以首先用于產(chǎn)生高邊緣的真正方波脈沖主要是電容性或電阻性的陡度加載。帶推挽式開關(guān)的發(fā)電機解決方案與單開關(guān)相比具有明顯的優(yōu)勢關(guān)于功耗和工作電阻脈沖下垂。特別是超大的儲能電容器和強大的高壓電源可以在純電容的情況下可以省去裝載，因為不需要提供真正的電力整個脈沖持續(xù)時間，就像*的數(shù)字CMOS-ICS具有可觀的功耗僅在較高頻率下出現(xiàn)。興衰開關(guān)輸出的時間幾乎相同并且一次有可能產(chǎn)生極其精確的高壓方波脈沖僅使用一個組件，具有成本效益。 HTS31-GSM配備了抗噪聲控制電路，確保始終正確的時間內(nèi)部開關(guān)元件甚至多困難的操作條件。通過監(jiān)視和調(diào)節(jié)輸入信號不能發(fā)生不飽和的轉(zhuǎn)換。一個內(nèi)置的具有自動復位功能的thermotrigger提供防止中長期過熱。

Behlke 產(chǎn)品組C5 - MOSFET，可變導通時間，雙極性，用于交流和直流電壓

1 ）HTS 61-01-AC-C，用于交流，直流和雙極直流電壓的MOSFET開關(guān)。緊湊型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC（pk）/ 15 A（pk）。  

2）HTS 131-26-AC-B，用于交流，直流和雙極直流電壓的溝槽FET開關(guān)。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。13 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。  

3）HTS 231-26-AC-B，溝槽FET開關(guān)，用于交流，直流和雙極直流電壓。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。23 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。

4）  各種MOSFET交流開關(guān)，30至70 kV / 100 A，帶管狀外殼（選件TH）和直接液冷（選件DLC）。    

Behlke 產(chǎn)品組C6 - 具有可變導通時間，高電流的IGBT開關(guān)

1）HTS 61-160-FI，快速IGBT開關(guān)。可變導通時間200ns至無限。帶有用于控制連接的尾纖（選件PT-C）。6 kV，1600 A.導通上升時間<90 ns @Ip（大值）。關(guān)斷上升時間<0.8μs。 

2）HTS 101-120-SI，標準IGBT開關(guān)。可變導通時間1μs至無限。10 kV，1200 A pk。開啟上升時間<150 ns @ Ip（大值）。關(guān)斷上升時間<5μs 。

3）HTS 241-240-SI，標準IGBT開關(guān)?？勺儗〞r間200 ns至無限。帶有可選的散熱片（選件CF）和法蘭外殼（選件FH）。24 kV，2400 A pk。上升時間<150 ns @ Ip（大值）。 
  

Behlke 產(chǎn)品組C7-MCT開關(guān)具有可變導通時間，高電流

1）HTS 61-300-MCT，可變導通時間的晶閘管開關(guān)。6 kVDC，導通電流3 kA，關(guān)斷電流100 A.導通上升時間200 ns，關(guān)斷上升時間1.5μs。

2）HTS 101-300-MCT，可變導通時間的晶閘管開關(guān)。10 kVDC，導通電流3 kA，關(guān)斷電流100 A.導通上升時間200 ns，關(guān)斷上升時間1.5μs。

3）HTS 181-300-MCT，可變導通時間的晶閘管開關(guān)。18 kVDC，導通電流3 kA，關(guān)斷電流100 A.導通上升時間200 ns，關(guān)斷上升時間1.5μs。  
 

Behlke 產(chǎn)品組C8 - 推挽式配置的MOSFET開關(guān)（半橋）

1）HTS 61-01-HB-C，MOSFET推挽式開關(guān)。緊湊型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米?？勺僅V脈沖寬度從50 ns到無窮大。2 x 6 kV，15 A.上升和下降時間<8ns。  

2）  HTS 81-06-GSM，MOSFET推挽式開關(guān)采用經(jīng)濟高效的塑料外殼。底部的HV接頭。可變HV脈沖寬度從150 ns到無窮大。2 x 8 kV，60 A.上升和下降時間<7ns。

3）HTS 201-03-GSM，MOSFET推挽式開關(guān)，帶有可選的散熱片（CF）和阻燃外殼，符合UL94-V0（選件UL94）。 2 x 20 kV，30 A pk，上升和下降時間<10 ns 

4）HTS 301-03-GSM ，MOSFET推挽式開關(guān)，帶選件FH（法蘭外殼），DLC（直接液冷），C-DR（驅(qū)動器冷卻）和HFS（高頻開關(guān)）。2 x 30 kV，30 A 
     上升和下降時間<20 ns，重復率> 100 kHz。采用DLC冷卻，大功耗可達6 kW。尺寸330x120x75 mm。

5）HTS 1501-10-GSM， MOSFET推挽式開關(guān)，帶選件FH（法蘭外殼）和DLC（直接液冷）。2 x 150 kV，100 A.上升和下降時間<90 ns。

6）HTS 61-03-HB-C， MOSFET推挽式開關(guān)。緊湊型系列，帶選件GCF（接地冷卻法蘭）?？勺兠}沖寬度從75 ns到無窮大。2 x 6 kV，30 A.上升和下降時間<6 ns。  

原裝BEHLKE HTS 800-100高壓開關(guān)