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愛(ài)德華iH系列干式真空泵在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用
- 半導(dǎo)體行業(yè)簡(jiǎn)介
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、yi動(dòng)電話(huà)或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上ju影響力的一種。
- 半導(dǎo)體應(yīng)用
半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。
光伏應(yīng)用
半導(dǎo)體材料光生伏*應(yīng)是太陽(yáng)能電池運(yùn)行的基本原理?，F(xiàn)階段半導(dǎo)體材料的光伏應(yīng)用已經(jīng)成為一大熱門(mén) ，是目前世界上增長(zhǎng)kuai、發(fā)展hao的清潔能源市場(chǎng)。太陽(yáng)能電池的主要制作材料是半導(dǎo)體材料，判斷太陽(yáng)能電池的優(yōu)劣主要的標(biāo)準(zhǔn)是光電轉(zhuǎn)化率，光電轉(zhuǎn)化率越高 ，說(shuō)明太陽(yáng)能電池的工作效率越高。根據(jù)應(yīng)用的半導(dǎo)體材料的不同，太陽(yáng)能電池分為晶體硅太陽(yáng)能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。
照明應(yīng)用
LED是建立在半導(dǎo)體晶體管上的半導(dǎo)體發(fā)光二極管 ，采用LED技術(shù)半導(dǎo)體光源體積小，可以實(shí)現(xiàn)平面封裝，工作時(shí)發(fā)熱量低、節(jié)能高效，產(chǎn)品壽命長(zhǎng)、反應(yīng)速度快，而且綠色環(huán)保無(wú)污染，還能開(kāi)發(fā)成輕薄短小的產(chǎn)品，一經(jīng)問(wèn)世 ，就迅速普及，成為新一代的優(yōu)質(zhì)照明光源，目前已經(jīng)廣泛的運(yùn)用在我們的生活中。如交通指示燈、電子產(chǎn)品的背光源、城市夜景美化光源、室內(nèi)照明等各個(gè)領(lǐng)域 ，都有應(yīng)用。
大功率電源轉(zhuǎn)換
交流電和直流電的相互轉(zhuǎn)換對(duì)于電器的使用十分重要 ，是對(duì)電器的必要保護(hù)。這就要用到等電源轉(zhuǎn)換裝置。碳化硅擊穿電壓強(qiáng)度高 ，禁帶寬度寬，熱導(dǎo)性高，因此SiC半導(dǎo)體器件十分適合應(yīng)用在功率密度和開(kāi)關(guān)頻率高的場(chǎng)合，電源裝換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的又一表現(xiàn)使得現(xiàn)在被廣泛使用到深井鉆探，發(fā)電裝置中國(guó)的逆變器，電氣混動(dòng)汽車(chē)的能量轉(zhuǎn)化器，輕軌列車(chē)牽引動(dòng)力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。由于SiC本身的優(yōu)勢(shì)以及現(xiàn)階段行業(yè)對(duì)于輕量化、高轉(zhuǎn)換效率的半導(dǎo)體材料需要，SiC將會(huì)取代Si，成為應(yīng)用guangfan的半導(dǎo)體材料。
- 半導(dǎo)體制造工藝流程
半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過(guò)程主要包括晶圓制造（前道，F(xiàn)ront-End）和封裝（后道，Back-End）測(cè)試，隨著*封裝技術(shù)的滲透，出現(xiàn)介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱(chēng)為中道（Middle-End）。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多，所以在制造過(guò)程中需要大量的半導(dǎo)體設(shè)備和材料。半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為：
（一）前段(Front End)制程
晶圓處理制程(Wafer Fabrication）;簡(jiǎn)稱(chēng)（Wafer Fab)
晶圓針測(cè)制程(Wafer Probe)
（二）后段(Back End )
構(gòu)裝(Packaging )
測(cè)試制程(Initial Test and Final Test)
1、晶圓處理制程
晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子元件(如電晶體、電容體、邏輯閘等)，為上述各制程中所需技術(shù)fu雜且資金投入多的過(guò)程，以微處理(Microprocessor)為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)*且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一-溫度、濕度與含塵(Particle) 均需控制的無(wú)塵室(Clean-Room) ，雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類(lèi)與所使用的技術(shù)有關(guān);不過(guò)其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)那逑?Cleaning) 之后,接著進(jìn)行氧化(Oxidation) 及沉積，后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。
2、晶圓針測(cè)制程
經(jīng)過(guò)Wafer Fab之制程后，晶圓上即形成一格格的小格，我們稱(chēng)之為晶方或是晶粒(Die)，在一般情形下，同一-片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同- -片晶圓上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品;這些晶圓必須通過(guò)晶片允收測(cè)試，晶粒將會(huì)一- -經(jīng)過(guò)針測(cè)(Probe)儀器以測(cè)試其電氣特性，而不合格的的晶粒將會(huì)被標(biāo)上記號(hào)(Ink Dot)，此程序即稱(chēng)之為晶圓針測(cè)制程(WaferProbe)。然后晶圓將依晶粒為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒。
3、IC構(gòu)裝制程
IC構(gòu)裝襲程(Packaging) :利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線(xiàn)以成積體電路
目的:是為了襲造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。
- 真空泵用于半導(dǎo)體制造行業(yè)
真空泵作為半導(dǎo)體制造行業(yè)的一種主要的生產(chǎn)設(shè)備，愈來(lái)愈要求安全可靠。當(dāng)烴油密封的旋轉(zhuǎn)泵用于光刻去膠等有氧的場(chǎng)合，有時(shí)會(huì)發(fā)生爆炸。原子化的油霧、熱的油蒸氣、摩擦、壓縮、較高的溫度、外物、可能的靜電等，一旦與氧結(jié)合便可能危害環(huán)境。而這些因素，真空泵里都有。在泵里采用氮等惰性氣體作為氣爆，并用氮來(lái)減小油箱里的氧濃度(使氧濃度低于 25%)，可使發(fā)生爆炸的危險(xiǎn)性減小。這個(gè)方法已被半導(dǎo)體制造行業(yè)采用.新的真空泵將更能適應(yīng)集成電路制造工藝中的腐蝕要求，例如可用陶瓷、耐熔金屬和貴金屬制造。半導(dǎo)體工藝真空主要用在蒸發(fā)，濺射，PECVD，真空干法刻蝕， 真空吸附，測(cè)試設(shè)備，真空清掃等等鍵合工序。
- 半導(dǎo)體制造行業(yè)推薦阿*愛(ài)德華iH干式真空泵
1.阿*愛(ài)德華iH系列介紹
Edwards 高級(jí)半導(dǎo)體真空泵已經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用證明，可以按照gao工作標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行。通過(guò)延長(zhǎng)使用壽命、提高運(yùn)行時(shí)間并提高生產(chǎn)率，同時(shí)減小占地面積、降低運(yùn)行成本，實(shí)現(xiàn)了高的可靠性和性能。iH 系列為難以執(zhí)行的制程（如存在微粒、易冷凝和腐蝕性副產(chǎn)品的 PECVD 和 LPCVD 制程）提供了高可靠性。
1.阿*愛(ài)德華iH系列型號(hào)：IH80、IH160、IH600、IH1000、IH1800、IH1800hTX
2.阿*愛(ài)德華iH系列功能和優(yōu)勢(shì)
（1）優(yōu)化了設(shè)施消耗;
（2）無(wú)需預(yù)防性維護(hù);
（3）懸臂軸和特殊的異型轉(zhuǎn)子便于顆粒的處理;
（4）在節(jié)省電機(jī)功率的同時(shí)提高了工作繁重的 CVD 應(yīng)用條件下的穩(wěn)定性;
（5）耐腐蝕的制造材料允許泵送腐蝕性氣體;
（6）較高的工作溫度為避免氣體冷凝提供了充分的安全保證;
（7）整體式軸桿無(wú)需使用電機(jī)聯(lián)結(jié)器，而第五級(jí)泵消除了使用消音器的需要并消除了顆粒堆積，從而降低了總體占地面積。