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美國(guó)世偉洛克ALD原子沉積隔膜閥
原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āＴ訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
美國(guó)世偉洛克ALD原子沉積隔膜閥 單原子層沉積（atomic layer deposition，ALD），又稱(chēng)原子層沉積或原子層外延（atomic layer epitaxy） ，初是由芬蘭科學(xué)家提出并用于多晶熒光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3絕緣膜的研制，這些材料是用于平板顯示器。由于這一工藝涉及復(fù)雜的表面化學(xué)過(guò)程和低的沉積速度，直上世紀(jì)80年代中后期該技術(shù)并沒(méi)有取得實(shí)質(zhì)性的突破。但是到了20世紀(jì)90年代中期，人們對(duì)這一技術(shù)的興趣在不斷加強(qiáng)，這主要是由于微電子和深亞微米芯片技術(shù)的發(fā)展要求器件和材料的尺寸不斷降低，而器件中的高寬比不斷增加，這樣所使用材料的厚度降低值幾個(gè)納米數(shù)量級(jí) [5-6]。因此原子層沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)就體現(xiàn)出來(lái)，如單原子層逐次沉積，沉積層極均勻的厚度和優(yōu)異的一致性等就體現(xiàn)出來(lái)，而沉積速度慢的問(wèn)題就不重要了。以下主要討論原子層沉積原理和化學(xué)，原子層沉積與其他相關(guān)技術(shù)的比較，原子層沉積設(shè)備，原子層沉積的應(yīng)用和原子層沉積技術(shù)的發(fā)展。