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當前位置:
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[供應(yīng)]GDAT-A-ASTMD150介電常數(shù)測定儀裝置
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  • GDAT-A-ASTMD150介電常數(shù)測定儀裝置
貨物所在地:
北京北京市
更新時間:
2024-11-12 21:00:08
有效期:
2024年11月12日 -- 2025年5月12日
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55
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產(chǎn)品簡介

ASTMD150介電常數(shù)測定儀裝置損耗角(缺相角),(δ),名詞——該角度的正切值為耗散因子或反正切值K''/K'或者其余切值為相位角。

討論——相位角和損耗角的關(guān)系見圖1和圖2所示。損耗角有時成為缺相角。

損耗指數(shù),K''(ε''),名詞——相對復(fù)數(shù)電容率虛數(shù)部分的大小;其等于相對電容率和耗散因子的乘積。

詳細介紹

ASTMD150介電常數(shù)測定儀裝置相對電容率(相對介電常數(shù))(SIC)K'(εr),名詞——相對復(fù)數(shù)電容率的實數(shù)部分。它也是采用某一材料作為電介質(zhì)的某一給定形狀電極等效并聯(lián)電容Cp與采用真空(或空氣,適用于多數(shù)實際用途)作為電介質(zhì)的相同形狀電極電容Cv之間的比值。

K'=Cp/Cv           (10)

討論——a——在普遍的用法,“相對"一詞經(jīng)常是指下降值。

討論——b——從經(jīng)驗來看,真空在各處必須采用材料來替代,因為其能顯著改變電容。電介質(zhì)等效電路假設(shè)包含一個電容Cp,該電容與電導并聯(lián)。

討論——c——Cx視為圖3所示的等效并聯(lián)電容Cp。

討論——d——當耗散因子為0.1時,串聯(lián)電容大于并聯(lián)電容,但是兩者差值小于1%,而當耗散因子為0.03時,兩者差值小于0.1%。如果測量電路獲得串聯(lián)部分的結(jié)果,在計算修正值和電容率之前,并聯(lián)電容必須由公式5計算得出。

討論——e——干燥空氣在23℃和101.3kPa標準壓力下的電容率為1.000536(1)。6其從整體的背離值K'-1與溫度成反比,同時直接與大氣壓力成正比。當空間在23℃下達到水蒸氣飽和時,電容率增加至為0.00025(2,3),同時隨著溫度(單位為℃)從10到27℃近似發(fā)生線性變化。對于局部飽和,增加值與相對濕度成正比。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀4.試驗方法摘要

電容和交流電阻測量在一個樣本上進行。相對電容率等于樣本電容除以(具有相同電極形狀)真空電容計算值,同時很大程度上取決于誤差源分辨率。耗散因子通常與樣本幾何形狀無關(guān),同時也可以依據(jù)測量值計算得出。

ASTMD150介電常數(shù)測定儀裝置

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