產(chǎn)地類別 |
國(guó)產(chǎn) |
應(yīng)用領(lǐng)域 |
電氣 |
電壓互感器現(xiàn)場(chǎng)校驗(yàn)儀功能簡(jiǎn)介儀器用于測(cè)試互感器:伏安特性勵(lì)磁特性曲線、自動(dòng)給出點(diǎn)值、自動(dòng)給出誤差曲線、變比測(cè)量、比差測(cè)量、相位(角差)測(cè)量、極性判斷、一次通流測(cè)試、交流耐壓測(cè)試、二次負(fù)荷測(cè)試、二次繞組測(cè)試、鐵心退磁等設(shè)計(jì)的多功能現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)儀器
HN11A互感器綜合測(cè)試儀電壓互感器現(xiàn)場(chǎng)校驗(yàn)儀
功能簡(jiǎn)介:
變頻式互感器特性綜合測(cè)試儀是一種為測(cè)試互感器:PT、CT(保護(hù)類、計(jì)量類)、伏安特性(勵(lì)磁特性)曲線、自動(dòng)給出點(diǎn)值、自動(dòng)給出5%和10%的誤差曲線、變比測(cè)量、比差測(cè)量、相位(角差)測(cè)量、極性判斷、一次通流測(cè)試、交流耐壓測(cè)試、二次負(fù)荷測(cè)試、二次繞組測(cè)試、鐵心退磁等設(shè)計(jì)的多功能現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)儀器。 兼具高精度與能量回收之特色,落實(shí)綠色制造Chroma170116V/100A測(cè)試系統(tǒng)具備能量再生功能,能夠回收直流能量(DC-DC),一旦直流能量溢出,系統(tǒng)將其轉(zhuǎn)換回交流電網(wǎng),是一個(gè)低發(fā)熱、率運(yùn)用的測(cè)試系統(tǒng)。Chroma17011產(chǎn)品具有多電流量程提高電流精度,電流量測(cè)精度達(dá)到±0.05%ofF.S.,電壓精度達(dá)到±(0.02%ofRdg.+0.02%ofF.S.),每個(gè)通道立控制且具備熱管理機(jī)制保障量測(cè)穩(wěn)定性,快速電流響應(yīng)可模擬脈沖或車況模擬,其采樣速度快可達(dá)10mS,同時(shí)可整合氣候溫箱進(jìn)行測(cè)試控制,安全性方面設(shè)計(jì)有多層保護(hù)功能,自主檢測(cè)提前發(fā)現(xiàn)異常避免實(shí)驗(yàn)風(fēng)險(xiǎn)。
技術(shù)參數(shù):
1、工作電源:AC220V±10% 、50Hz
2、設(shè)備輸出:0~220Vrms, 5Arms(20A峰值)
3、大電流輸出:0~1000A
4、二次繞組電阻測(cè)量范圍:0.1~50Ω
5、二次繞組電阻測(cè)量準(zhǔn)度:≤0.5%、分辨力0.01
6、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量范圍:5~300VA
7、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量準(zhǔn)度:≤0.5%±0.1VA一樁兩充、一樁四充則有多個(gè)CAN接口。同時(shí),控制單元和充電機(jī)之間一般也通過(guò)CAN通信,控制整個(gè)充電的過(guò)程。RS485:電能表、絕緣檢測(cè)和控制單元之間一般通過(guò)RS-485相連,完成電量的統(tǒng)計(jì)計(jì)費(fèi)、漏電檢測(cè)等。RS232:刷卡、微打等功能部件和控制單元之間,一般用RS-232相連,完成身份識(shí)別、扣費(fèi)、賬單打印等功能。WifGPRS、工業(yè)以太網(wǎng)等:主要是連接車聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器后臺(tái)等,方便實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程的系統(tǒng)監(jiān)控、升級(jí)、數(shù)據(jù)管理等。
3、HN12A互感器綜合分析儀(CT/PT分析儀)
功能簡(jiǎn)介:
1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)
2 變比試驗(yàn)
3 相位和極性試驗(yàn)
4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量
5 CT二次繞組電阻測(cè)量
6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量
7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與分析
8 CT升流試驗(yàn)
9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT,包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.
10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.
自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10%誤差曲線、 5%誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)(ALF)、 儀表保安系數(shù)(FS)、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。
加熱器組件應(yīng)具備多種尺寸、功率、安裝選項(xiàng)以及溫度監(jiān)測(cè)和溫度控制功能。因?yàn)?,在同一個(gè)透析機(jī)應(yīng)用產(chǎn)品中不同的加熱器組件配置(扁平、透明復(fù)合和高溫)和制造材料(硅、聚酰亞胺薄膜、聚酯銦錫氧化物和其他介電材料),可產(chǎn)生大不相同的應(yīng)用選項(xiàng)。測(cè)量透析液和靜脈壓力,對(duì)于透析期間的患者安全至關(guān)重要。壓力傳感器需要檢測(cè)流體和血液流動(dòng)壓力,以確保將壓力維持在適用范圍內(nèi),避免出現(xiàn)過(guò)壓或欠壓情況。因?yàn)闊o(wú)論是過(guò)壓還是低壓會(huì)分別導(dǎo)致血管破裂或管路中出現(xiàn)氣泡。技術(shù)參數(shù):
輸出電壓:0~180V (RMS)
輸出電流:0~12A,峰值36A
電壓測(cè)量:準(zhǔn)確度 ±0.1%
CT變比測(cè)量范圍:1~30000
PT變比測(cè)量范圍:1~30000
HN16A電子式互感器校驗(yàn)儀
具備對(duì)電子式互感器進(jìn)行角差、比差進(jìn)行校驗(yàn)的功能,并可對(duì)通信報(bào)文進(jìn)行全息分析,可以對(duì)數(shù)字互感器進(jìn)行通信故障測(cè)試以及準(zhǔn)度校驗(yàn)。
使用LabView開(kāi)發(fā)管理軟件,界面美觀,使用方便。電源和采樣輸入采取了大量的電磁兼容措施,能夠適應(yīng)復(fù)雜的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試環(huán)境。采用便攜式設(shè)計(jì)方案,方便試驗(yàn)室和現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)。
電子式互感器校驗(yàn)儀自身準(zhǔn)度0.05級(jí),可實(shí)現(xiàn)對(duì)0.2S等級(jí)以下的電子式互感器的校驗(yàn)。(這種推斷還有待于試驗(yàn)測(cè)試)變壓器用的是自藕的,那么就不能亂接了,測(cè)量的時(shí)候要注意,特別是測(cè)量電源的時(shí)候,否則有可能出現(xiàn)電源火線——示波器地線——安全地——零線的短路危險(xiǎn)。你可以有兩種方法解決第2個(gè)問(wèn)題:示波器的安全地不接,就是三個(gè)腳的插頭只用和火線,這樣示波器可能帶電;用隔離變壓器做系統(tǒng)電源,或者在示波器的電源處用1:1的隔離變壓器個(gè)示波器提供電源。具體的電流通路大家可以自己想一想,有條件的,比如自己做有電源的可以做個(gè)電路測(cè)一測(cè),幾個(gè)電阻就可以了。
HN17A極速互感器檢定裝置
該裝置由HN17A極速互感器校驗(yàn)儀、電流負(fù)載箱、控制柜、電流互感器測(cè)試臺(tái)等幾個(gè)部分組成。在保持原技術(shù)特點(diǎn)的前提下,在電流互感器的快速測(cè)量、測(cè)試點(diǎn)的快速定位、以及負(fù)荷箱、變比的互感器覆蓋等方面有了很大的提高。
電壓互感器現(xiàn)場(chǎng)校驗(yàn)儀一個(gè)反激式電源可分別從一個(gè)48V輸入產(chǎn)生兩個(gè)1A的12V輸出。理想的二極管模型具有零正向壓降,電阻可忽略不計(jì)。變壓器繞組電阻可忽略不計(jì),只有與變壓器引線串聯(lián)的寄生電感才能建模。這些電感是變壓器內(nèi)的漏電感,以及印刷電路板(PCB)印制線和二極管內(nèi)的寄生電感。當(dāng)設(shè)置這些電感時(shí),兩個(gè)輸出相互跟蹤,因?yàn)楫?dāng)二極管在開(kāi)關(guān)周期的1-D部分導(dǎo)通時(shí),變壓器的全耦合會(huì)促使兩個(gè)輸出相等。該反激式簡(jiǎn)化模型模擬了漏電感對(duì)輸出電壓調(diào)節(jié)的影響。CME-C1是京微雅格新近推出的高性能大容量“云"系列顆產(chǎn)品,邏輯容量折合2萬(wàn)門級(jí)。CME-C1采用TSMC4nm*工藝,采用全新的6輸入查找表架構(gòu),創(chuàng)36x18的DSP單元,內(nèi)嵌大容量每塊18K位ram,高速串行接口可達(dá)6.5Gbps,通用差分I/O可達(dá)1.3Gbps,同時(shí)還內(nèi)置硬核PCIe支持5G速率GenDDR3/2控制器以及PHY讀寫速率可達(dá)1333Mbps,各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)國(guó)內(nèi)水平。