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GAP3000/2.2-2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器
  • GAP3000/2.2-2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器

貨物所在地:上海上海

更新時(shí)間:2025-01-26 21:00:07

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峰值波長(zhǎng)(典型): 2.0 ± 0.1um 截止波長(zhǎng) (50%): 2.2 ± 0.1um 響應(yīng)度@ λP(min/typ):0.9/1.0A/W 有效直徑:3mm
總覽

2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。


技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn):

有效直徑2mm,3 mm可選

擴(kuò)展的截止波長(zhǎng)2.2μm

高分流電阻

封裝形式TO-5


產(chǎn)品應(yīng)用:

氣體檢測(cè)

碳?xì)浠衔飩鞲?/p>

紅外光譜

光譜學(xué)

SWIR光電探測(cè)


技術(shù)參數(shù):

電學(xué)參數(shù)@ 23 oC ± 2 oC

參數(shù)

GAP2000/2.2

GAP3000/2.2

單位

有效直徑

2

3

mm

峰值波長(zhǎng)(典型)

2.0 ± 0.1

2.0 ± 0.1

um

截止波長(zhǎng) (50%)

2.2 ± 0.1

2.2 ± 0.1

µm

響應(yīng)度@ λP(min/typ)

0.9/1.0

0.9/1.0

A/W

分流電阻 (min/typ)

6k/10k

2k/6k

Ω

暗電流(max)

40 @ 1 V

100 @ 1 V

µA

電容 (typ) @ 0 V

4000

8000

pF

帶寬 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

0.795

0.397

MHz

上升時(shí)間 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

440

881

ns

NEP @ λPEAK (typ)

128 x 10-14

287 x 10-14

W/Hz1/2

線性度 (± 0.2 dB @ 0 V)

6

6

dBm

封裝

TO-5

TO-5



最大參數(shù)

參數(shù)

GAP2000/2.2

GAP3000/2.2

單位

存儲(chǔ)溫度

-40 to 125

-40 to 125

工作溫度

-40 to 85

-40 to 85

反向電壓

1

1

V

反向電流

10

10

mA

正向電流

10

10

mA

功耗

50

50

mW


波長(zhǎng)響應(yīng)曲線



largearea_extended_ingaas_photodiodes.jpg




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