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850nm蝶形高速調(diào)制單模 VCSEL激光器
  • 850nm蝶形高速調(diào)制單模 VCSEL激光器

貨物所在地:上海上海

更新時(shí)間:2025-02-01 21:00:08

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LD-PD INC借經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光學(xué)特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇。創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)已對(duì)高階縱向與橫向模式加以抑制,同時(shí)具有線性偏振穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 內(nèi)部TEC和熱敏電阻      

2 nm TEC的可調(diào)性

高斯型光束輪廓絕對(duì)對(duì)稱的高斯型光束輪廓顯著簡(jiǎn)化應(yīng)用光學(xué)設(shè)計(jì)。

小光束發(fā)散角,發(fā)散角的范圍為 20° (1/e2),可重復(fù)再現(xiàn),方便激光光束傳導(dǎo)。

光譜寬度窄,憑借光譜寬度通常為 100 MHz 的激光線,此類激光器專為光譜應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

低功率消耗,由于功率消耗僅為數(shù)毫瓦,移動(dòng)應(yīng)用中可采用電池運(yùn)行。

TO46&TEC

特定工作條件:激光電流IOP = 2 mA 目標(biāo)波長(zhǎng)λt = 850 nm @ TOP (由TEC調(diào)節(jié))

技術(shù)參數(shù)

電學(xué)參數(shù)

參數(shù)

符號(hào)l

測(cè)試條件

最小

典型

最大

單位

光功率Power

PP

0.1

mW

閾值電流

ITH

CW,TL =25℃

1

3

5

mA

驅(qū)動(dòng)電流

IOp

PO =0.1mW

5

8

mA

激光器正向電壓

VLF

PO =0.1mW

2.3

V

光電效率

η

CW,TL =25℃

0.2

0.4

0.65

mW/mA

激光器TEC控制溫度(環(huán)境溫度25℃)

TLD

15

35

熱敏電阻電流

ITC

10

100

µA

熱敏電阻阻抗

RTH

TL =25℃

9.5

10.5

制冷器電流

ITEC

TL =25℃, Taround =70℃

1.2

A

制冷器電壓

VTEC

TL =25℃, Taround =70℃

3.5

V


光纖和連接器

參數(shù)

符號(hào)

描述

最小

典型

最大

單位

尾纖長(zhǎng)度

L

Nufern PM 780-HP

0.98

3.5

m

連接器類型

FC/APC

3.5


光學(xué)特性

參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

最小

典型

最大

單位

中心波長(zhǎng)

λC

CW

TLD=2535

840

850

860

nm

邊模抑制比

SMSR

CW

10

dB

消光比

ER

IF=5mA

polarization slow axis

18

20

dB


絕對(duì)最大值

參數(shù)

符號(hào)

最小

最大

單位

激光器反向電壓

VRLMAX

8.0

V

正向電流

IFLMAX

8.0

mA

工作溫度范圍

TO

5

45

貯藏溫度范圍

Tstg

-40

85

熱敏電阻溫度

100

制冷器工作電流

1.9

A

tt.png

光譜圖

高階模式被強(qiáng)烈抑制,光譜帶寬極窄

光束輪廓

單模 VCSEL 的遠(yuǎn)場(chǎng)光強(qiáng)分布*符合高斯模式

LIVT 特性曲線

您將受益于較寬溫度范圍內(nèi)的線性性能和低閾值電流

封裝及尺寸

lk4.png

引腳定義

1

Thermoelectric Cooler (+)

8

N/C

2

Thermistor

9

N/C

3

PD Monitor Anode (-)可選

10

laser Anode (+)

4

PD Monitor Cathode (+)可選

11

Laser Cathode (–)

5

Thermistor

12

N/C

6

N/C

13

Case Ground

7

N/C

14

Thermoelectric Cooler (–)


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