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VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs
  • VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs

貨物所在地:上海上海

更新時間:2025-02-01 21:00:08

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正向電流 VF 典型值 1.78 V 輸出功率 Φ 典型值 0.3 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm




總覽

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。

技術參數(shù)

應用

原子鐘

磁力計


特點:

包裝: 裸片

芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器

激光波長: 894.6 nm

輻射剖面: 單模

ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)


最大額定值

Ta = 80°C


參數(shù)

符號


操作/焊接溫度

DC = 100%

TS

最小值

最大值

-20°C

110°C

儲存溫度

Tstg

最小值

最大值

-40°C

125°C

正向電流(保持單模)

直流操作;

DC = 100%; TS = 75°C

If

最大值

1.5 mA

正向電流

直流操作;

DC = 100%; TS = 75°C

If

最大值

3 mA

反向電壓

不適合反向操作

ESD 耐電壓

acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

VESD

最大值

250 V


注意:超出絕對最大額定值范圍的應力可能會對設備造成損壞。



 

特點

Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3


參數(shù)

符號


正向電流

VF

典型值

1.78 V

輸出功率

Φ

典型值

0.3 mW

閾值電流

Ith

典型值

0.61 mA

斜率效能

SE

典型值

0.37 W / A

單模抑制比

SMSR

最小值

20 dB

偏振消光比5)

PER

最小值

15 dB

峰值波長

λpeak-v

最小值

典型值

最大值

894.1 nm

894.6 nm

895.1 nm

光譜線寬度

Λlinewidth

最大值

100   MHz

調頻調制帶寬

Fm

最小值

4.6 GHz

波長溫度系數(shù)

TCλ

典型值

0.06 nm / K

半峰全寬處視場(50% of Φmax)

φx

φY

典型值

典型值

12°

12°

1/e2處 視場

φx

φY

典型值

典型值

20°

20°


注意:波長,輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。




相對光譜發(fā)射 1)



輻射特征 1)



正向電流 1) 2)


221.png

光輸出功率 1) 2)


222.png


尺寸圖 3)










產(chǎn)品標簽



垂直腔面發(fā)射激光器 (VCSEL)


型號:


生產(chǎn)商:    VIXAR INC

2355 POLARIS AVE N. SUITE 100

Plymouth, MN 55447USA



制造:     Bare Die by VIXAR

Fabricated or packaged by:

Vixar, Inc.

2355 POLARIS AVE N. SUITE 100

Plymouth, MN 55447, USA


晶片 #:

Mft Lot #:

生產(chǎn)日期:

數(shù)量:


符合FDACDRH21CFR 1040.10標準,1040.11除外


器械與放射健康中心   登記號:1210159-000

產(chǎn)品編號:95R--DW





包裝








注意事項

根據(jù)操作模式的不同,這些設備發(fā)射出高度集中的可見光和非可見光,這可能對人眼有害。包含這些設備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預防措施。


除其他物質外,該裝置的子組件還含有金屬填充材料,包括銀。金屬填充材料可能會受到含有侵略性

物質的環(huán)境影響。因此,我們建議客戶在存儲、生產(chǎn)和使用過程中盡量減少設備接觸腐蝕性物質。當

使用上述試驗進行試驗時,顯示出可見變色的裝置在規(guī)定的試驗持續(xù)時間內未顯示出故障限值范圍內

的性能偏差。


IEC60810中描述了相應的故障限值。



術語

1)          典型值:由于半導體器件制造工藝的特殊條件,技術參數(shù)的典型數(shù)據(jù)或計算關聯(lián)只能反映統(tǒng)計數(shù)字。這些不一定對應于每個產(chǎn)品的實際參數(shù),這些參數(shù)可能不同于典型值和計算相關或典型特征線。由于技術改進,這些典型值數(shù)據(jù)將被更改,恕不另行通知。

2)         測試溫度: TA = 85°C ± 2°C

3)         尺寸公差:除非圖紙中另有說明,公差以±0.1規(guī)定,尺寸以mm規(guī)定。

4)         波長:連續(xù)波長測量,分辨率±0.1 nm。

5)         偏振: 在安裝或封裝引起的模具應力條件下,偏振消光比會降低。




訂購信息


描述

工作模式

訂購代碼

Group 1 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 1

Group 2 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 2

Group 3 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 3

Group 4 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 4

Group 5 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 5



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