電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

性能測試方法

介質(zhì)損耗角正切值的測試方法

本標準適用于測定電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料在頻率1MHz，溫度從室溫至500℃條件下的介質(zhì)損耗角正切值。

1、定義和測試原理：

陶瓷材料的介質(zhì)損耗角正切值(tan)是表示在某一頻率交流電壓作用下介質(zhì)損耗的參數(shù)。所謂介質(zhì)損耗即是單位時間內(nèi)消耗的電能。

由陶瓷材料制成的元器件，當它工作時，交變電壓加在陶瓷介質(zhì)上，并通過交變電流，這時陶瓷介質(zhì)連同與其相聯(lián)系的金屬部分，可以看成有損耗的電容器，并可用一個理想電容器和一個純電阻器并聯(lián)或串聯(lián)的電路來等效，如圖1所示。電壓和電流的相位關(guān)系可用圖2表示。

2、試樣：

2.1  試樣應符合GB  5593—85《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料》的規(guī)定。

2.2  試樣應進行清洗干燥處理。

2.3  試樣在正常試驗大氣條件下放置不少于24h。

3、測量儀器和設(shè)備：

3.1  測量儀器

可采用直讀式損耗表、高頻Q表、高頻電橋及高頻介質(zhì)損耗測量儀等儀器。測量回路的Q值應大于200。

3.2  加熱爐

爐內(nèi)溫度應均勻。可用自動或手動方式進行控溫，控溫范圍為室溫至500℃。在控溫范圍內(nèi)任一個溫度值，在10min內(nèi)溫度波動不大于±1℃。

3.3  夾具

可采用圖3所示的三種形式中的任一種夾具。圖3a為一對尖形電極，材料用彈性銅片鍍銀，厚0.6mm。用石英管或其他致密的高溫絕緣材料制成的絕緣子支承置于接地屏蔽盒內(nèi)。圖3b為一個尖形和一個平板形電極。圖3a為一對圓平板形電極，平板之間距離用百分表（可讀到0.01mm）顯示。圓平板直徑應小于25mm。

3.4  連接線

連接線要盡量短，最好小于25cm，連接線為鍍銀銅片，寬10mm，厚0.6mm。連接線也可用屏蔽線。

4、測量方法：

可采用直按測量法和替代法兩種。當采用直接測量法時，必須消除連接線和試樣夾具等分布參數(shù)的影響。

測量電路的分布參數(shù)可用圖4表示，圖中L_S、R_S為與試樣串聯(lián)的連接線、夾具等的等效電感及電阻，C_P、R_P為與試樣并聯(lián)的連接線、夾具等的等效電容及電阻。當L_S、R_S很小，且可忽略時，或當C_P <C_X，R_P>R_X時，試樣的介質(zhì)損耗角正切值可用下式計算：

A—測量儀器；B—控溫加熱爐；C—夾具和試樣

注：當采用平板形電極夾具時，在測量C₀時應保持電極距離等于試樣厚度。

當采用替代法時，由于在兩次測量中分布參數(shù)的影響已消除，故不必再對測量結(jié)果進行修正。

5、測量步驟：

5.1  按圖5連接測量儀器和裝置

6、測量誤差：

當采用上述原理、方法和步驟進行測量時，由連接線和夾具引入的誤差很小，可以忽略。測量的總誤差取決于所選用的測量儀器。

ZJD-B陶瓷介質(zhì)損耗角正切值測試儀

ZJD-C陶瓷介質(zhì)損耗角正切值測試儀