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等離子體原子層沉積在納米器件和能源領(lǐng)域展現(xiàn)出潛力

閱讀:391      發(fā)布時(shí)間:2023-8-11
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  等離子體原子層沉積是一種氣相沉積技術(shù),利用了等離子體的化學(xué)反應(yīng)和表面反應(yīng)來(lái)沉積薄膜。它通常由兩個(gè)步驟組成:前驅(qū)體吸附和后處理。
  前驅(qū)體分子被引入反應(yīng)室,并通過(guò)化學(xué)吸附與襯底表面發(fā)生反應(yīng),形成一個(gè)單層分子。
  一個(gè)等離子體源引入反應(yīng)室,產(chǎn)生高能粒子,與已吸附的前驅(qū)體發(fā)生反應(yīng),釋放出非揮發(fā)性產(chǎn)物并修飾表面。重復(fù)這兩個(gè)步驟多次,可以逐漸增加薄膜的厚度和質(zhì)量。
 
  等離子體原子層沉積具有許多優(yōu)勢(shì)。
  可以在低溫下進(jìn)行,適用于對(duì)溫度敏感的襯底和器件。
 
  提供了較高的控制能力。由于每個(gè)沉積周期中只有單層分子被添加,可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的薄膜厚度和組成控制,從而獲得優(yōu)異的均勻性和界面質(zhì)量。
 
  還具有較高的反應(yīng)速率和良好的可擴(kuò)展性,使其成為大規(guī)模生產(chǎn)中的理想選擇。
 
  在微電子領(lǐng)域,廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物和氮化物薄膜的制備。這些薄膜在晶體管、存儲(chǔ)器和傳感器等器件中發(fā)揮關(guān)鍵作用。通過(guò)精確控制沉積參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的界面、低損耗和低漏電流,提高器件性能和穩(wěn)定性。
 
  在光學(xué)領(lǐng)域,用于制備光學(xué)涂層、反射鏡和濾波器等。利用其高控制能力和優(yōu)異的均勻性,可以實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率、低反射率和精確的光學(xué)特性,滿足不同光學(xué)器件的需求。
 
  等離子體原子層沉積還在納米器件和能源領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。在納米電子學(xué)中,可以利用其高分辨率和界面控制能力來(lái)制備納米線、納米點(diǎn)陣列和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。在能源存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換中,可以利用其優(yōu)異的薄膜質(zhì)量和界面特性來(lái)改善電池、太陽(yáng)能電池和燃料電池等器件的性能。

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