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深圳市矢量科學儀器有限公司

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金屬有機源氣相沉積系統(tǒng)

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號MOCVD

品牌沈陽科儀

廠商性質經(jīng)銷商

所在地沈陽市

更新時間:2024-09-04 17:57:26瀏覽次數(shù):312次

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金屬有機源氣相沉積系統(tǒng)MOCVD主要由真空室反應系統(tǒng)、氣體(載氣與氣相有機源)輸運控制系統(tǒng)、有機源蒸發(fā)輸運控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護報警系統(tǒng)組成。
MOCVD系統(tǒng)作為化合物半導體、超導等薄膜材料研究和生產(chǎn)的手段,特別是作為工業(yè)化生產(chǎn)的設備,有著其它半導體設備無法替代的優(yōu)點。它的高質量、穩(wěn)定性、重復性及多功能性越來越為人們所重視。

1.  產(chǎn)品概述:

金屬有機源氣相沉積系統(tǒng)Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)是一種先進的薄膜材料制備技術,通過金屬有機前體和反應氣體在基底表面上的熱解和反應,形成所需的薄膜材料。該系統(tǒng)主要由真空室反應系統(tǒng)、氣體(載氣與氣相有機源)輸運控制系統(tǒng)、有機源蒸發(fā)輸運控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護報警系統(tǒng)組成。

MOCVD系統(tǒng)具有高質量、穩(wěn)定性、重復性及多功能性等優(yōu)點,是當今世界上生產(chǎn)半導體光電器件和微波器件材料的主要手段。它廣泛應用于半導體、光電子、光伏和顯示等領域,用于制備各種功能性薄膜材料,如氮化物、磷化物和氧化物等。

2 設備用途/原理:

  1. 半導體材料制備:MOCVD系統(tǒng)可用于制備三五族或二六族化合物半導體薄膜,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)等,這些材料廣泛應用于集成電路、光電器件和微電子元件中。

  2. 光電器件生產(chǎn):利用MOCVD技術可以生產(chǎn)發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、太陽能電池等光電器件。特別是藍光和白光LED的核心結構,如GaNInGaN薄層序列,就是通過MOCVD工藝實現(xiàn)的。

  3. 微電子元件制造:MOCVD技術還可用于制造異質結雙極性晶體管(HBT)、假晶式高電子遷移率晶體管(PHEMT)等微電子元件。

  4. 研究與開發(fā):研究機構和大學也使用MOCVD設備進行科學研究和開發(fā)新的薄膜材料,以推動相關領域的技術進步。

3. 設備特點

1 高精度控制:MOCVD系統(tǒng)具有高度的自動化和精確的控制能力,可以精確控制反應條件(如溫度、壓力和氣體流量),以優(yōu)化薄膜的成分、結構和性質。

2  高效生產(chǎn):該系統(tǒng)能夠實現(xiàn)大規(guī)模、高效率的薄膜材料生產(chǎn),滿足工業(yè)化生產(chǎn)的需求。

3  多功能性:MOCVD技術不僅限于制備單一類型的薄膜材料,還可以實現(xiàn)多種材料的交替生長,為制備復雜結構的器件提供了可能。

4  安全保護:系統(tǒng)配備有尾氣處理及安全保護報警系統(tǒng),確保在有毒氣體環(huán)境下操作的安全性。

4 設備參數(shù)

真空室結構:臥室

真空室尺寸:Ф400mm×300mm(L)

限真空度:10 Pa

沉積源:設計待定

樣品尺寸,溫度:設計待定

占地面積(長x寬x高):約4.5米x3.5米x3米(設計待定)

電控描述:屏幕操作






 


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