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天津泰諾科學(xué)技術(shù)有限公司
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單晶硅片
  • 單晶硅片

更新時(shí)間：2024-11-19 13:03:21

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單晶硅片生長方法：直拉CZ 型號/摻雜劑： P型/硼 N型/磷、砷、銻晶向： 100 / 111電阻率 (Ω.cm)： 0.001-50徑向電阻率變化： (%) P 6 N型 25氧含量與公差： 5.0-7.8 × ± 0.5徑向氧含量變化 (%) ： 5碳含量 (at )： ≤ 2.0×金屬鐵含量 (at ) ：≤ 1.0×厚度 (微米)：按SEMI標(biāo)準(zhǔn)或用戶要求厚度公差 (微米) ：±15或用戶要求


生長方法：直拉CZ  
型號/摻雜劑： P型/硼 N型/磷、砷、銻
晶向： <100> / <111>
電阻率 (Ω.cm)： 0.001-50
徑向電阻率變化： (%) P< 6   N型 < 25
氧含量與公差：   5.0-7.8 × ± 0.5
徑向氧含量變化 (%) ：< 5
碳含量 (at )： ≤ 2.0×
金屬鐵含量 (at ) ：≤ 1.0×
厚度 (微米)：按SEMI標(biāo)準(zhǔn)或用戶要求
厚度公差 (微米) ：±15或用戶要求

產(chǎn)品名稱

規(guī)格

包裝

N、P型硅片

1英寸 100、111晶向

25片/盒

N、P型硅片

2英寸 100、111晶向

25片/盒

N、P型硅片

3英寸 100、111晶向

25片/盒

N、P型硅片

4英寸 100、111晶向

25片/盒

方型硅片（mm）

3*3 5*5 8*8 10*10 15*15 20*20、、、


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